光伏咨询搜索-索比光伏网

在出厂时做严格检测，凡是一致化程度较差或有一些瑕疵的组件都会做等外品处理，也就是说每个厂家在生产过程中都会产生一定数量的等外品(B类组件)。这种B类组件，首先从质量角度就有问题，自然发电量无法与A类组件
2.68-2.75元/瓦不等;而单晶280W以上组件价格则在2.68-2.80元/瓦之间不等;CIGS组件价格在4-6元/瓦不等;HIT组件价格在3.8-4.8元/瓦不等。当然，目前市场组件价格波动较大，最近

索比光伏网讯:纵观中国光伏产业走过的这二十年里，太阳能电池的价格一年比一年低，成本下降的同时本质是技术和产业链的革新，而这其中的一代功臣就是切片技术。众所周知，硅料的提纯是一个高耗能和高工艺水平的
拉断和疲劳断裂，降低了钢线的使用寿命。硅片切割中通常关注钢线两个参数：1、椭圆度 2、磨损量2. 碳化硅碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温

%以内。但目前这个数据还真的很难说，原因有三： 1)光伏组件出场功率是用实验室标准光源和测试环境标定的，但似乎国内不同厂家的标准光源是存在一定的差异的。那在A厂标定的250W的组件，到了B厂，可能
1)光伏产业链的上游硅料、硅锭环节价格波动大(0~-37%)，中游硅片、电池片环节波动(5%~-26%)小于上游，下游组件环节波动最小(0~-11%)。 2)多晶硅波动大，单晶硅波动相对

载流子复合几个方面着手。 (1)减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液
钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的

方面着手。（1）减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液对各个晶面腐蚀速率
结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用

，更具科学性；二是在因子分析的基础上进行聚类分析，可以将各国光伏产业链进行科学层次细分，从而使分析结果更深入。本文的研究力图构建一个具备系统性、层次性和科学性的评价指标体系。光伏产业链包括硅料、铸锭
因子分析的可信性。运用回归法计算出因子得分系数矩阵，进而得到各因子得分。利用各因子得分，用方差贡献率作为权重，计算出因子综合得分并排序，计算公式如下，计算结果见表3。从表3的综合因子看，排在

；二是在因子分析的基础上进行聚类分析，可以将各国光伏产业链进行科学层次细分，从而使分析结果更深入。本文的研究力图构建一个具备系统性、层次性和科学性的评价指标体系。光伏产业链包括硅料、铸锭（拉棒）、切片
各因子得分，用方差贡献率作为权重，计算出因子综合得分并排序，计算公式如下，计算结果见表3。从表3的综合因子看，排在前4的国家的因子分析综合得分均大于0，分别是中国、德国、美国、日本，而其余国家的综合

区别于传统砂浆的切割重要一点，就是硅耗降低，简单说就是，用更少的硅料生产符合客户要求片厚。因以固结的方式可以参与有效切割的金刚石较多，镀层要比砂浆的混合体要小，刀缝损失也更少，生产加工过程成本的降低
现如今又一个崭新的技术金刚线切片技术，将在光伏硅片使用比例逐步提高，无论是单晶还是多晶。金刚线切片的技术最主要的优势体现在这两个方面： 1、硅耗的降低； 2、切割效率的提升。在未来的几年

包括硅料、铸锭（拉棒）、切片、电池片、电池组件、应用系统等6个环节。上游为硅原料、硅片等环节。中游为电池片、光伏组件等环节。下游为光伏装机，应用系统等环节。从全球范围来看，产业链6个环节所涉及企业数量
吻合，这既可以证明指标体系的科学合理性，也可以说明运用因子分析的可信性。　　运用回归法计算出因子得分系数矩阵，进而得到各因子得分。利用各因子得分，用方差贡献率作为权重，计算出因子综合得分并排

性和科学性的评价指标体系。光伏产业链包括硅料、铸锭（拉棒）、切片、电池片、电池组件、应用系统等6个环节。上游为硅原料、硅片等环节。中游为电池片、光伏组件等环节。下游为光伏装机，应用系统等环节。从全球
的二级指标名称基本吻合，这既可以证明指标体系的科学合理性，也可以说明运用因子分析的可信性。运用回归法计算出因子得分系数矩阵，进而得到各因子得分。利用各因子得分，用方差贡献率作为权重，计算出因子综合

用低质量的硅料。2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的