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综合

组件性能方面，标准60片电池多晶硅PERC组件的平均功率超过了 287W，与同类型单晶硅组件相当。在结合使用半切片和多主栅等组件技术之后，标准120 片电池多晶硅PERC组件的平均功率超过
(ALD)技术形成的Al2O3层被用于进行背面钝化。沉积形成的Al2O3层还要进行一次后沉积退火，这一步被集成在随后的背面SiNx减反射膜(ARC)沉积工艺上，采用的是管式等离子增强化学气相沉积

200m20和180m20两种，6)TTV30m,7)弯曲度15m，8)大晶粒晶向1005o质量好的单位准单晶硅锭按照切片后同一晶向晶粒所占硅片面积的比例大小可分为A、B、C三个质量等级区域：A区：占硅锭比例为
A、B、C区制成的电池片获得了不同的技术参数，具体如下：A区：转换效率为16.61%;比普通多晶高0.1%0.2%B区：转换效率为17.02%;比普通多晶高0.40.6%C区：转换效率为17.32