成本降低是光伏行业永恒的主题。n型单晶硅较常规的p型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点，具有更大的效率提升空间，同时，n型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此，n型单晶硅组件具有发电量高和
工艺技术路线;
n型单晶硅电池正面效率达21%，背面效率达19%;
离子注入工艺在太阳电池量产上的应用。
n型单晶硅双面太阳电池除了具有正面效率高，背面也发电的特点，还具有较低的光致衰减和较好的弱光
厂时峰值功率可以保证，但是组件不同负荷下的一致性、衰减的稳定性及对于温度敏感性等得不到保证。光伏电站系统使用降级组件，短期内发电量不受影响，但随着时间的推移，光伏组件的发电量衰减或许会相当可怕，与A级
测试仪分析，这批已经运行 20年的老组件功率衰减共计约14.5%，年均功率衰减约为0.7%。同时，经检测，黄度b*值变化仅为1.6-1.8。这是因为这些老组件都均采用了基于杜邦特能(Tedlar
看出：单晶硅(绿色)和多晶硅(黄色)的效率是交错排布的。衰减率最低的是D厂家的单晶硅组件，最高的B厂家的单晶硅组件。这张图也说明，组件厂家的生产质量对衰减率的影响，可能高于组件类型对衰减率的影响
能诱导衰减。这种衰减存在于组件内部电路和其接地金属边框之间的高电压会造成组件的功率衰减，还与玻璃、背板、EVA、温度、湿度和电压有关。 2、衰减率测试数据 单晶和多晶，到底哪种在实际应用中衰减少一些
全球主要光伏市场，如日本补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。
B 发展趋势（二）
产业投资持续增强 技术水平不断提升
技术水平不断提升，生产成本逐步降低
光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6~0.9元/千瓦时。
2016年，技术进步仍将是产业发展主题。预计产业化生产的多晶硅电池
补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二） 产业投资持续增强 技术水平不断提升 技术水平不断提升，生产成本逐步降低。2015年，在内外部环境的共同推动下
多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件
，低效片混入)。 D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。 E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。 F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。 影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要
损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗
会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的
