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Nanoscale（2014, 6, 3316-3324）上。同时，以氧化石墨烯作为碳源，分别通过光催化氟化和水热氟化以及热解氟化石墨对其进行氟化来制备氧和氟共掺杂氟化石墨烯的方法，获得的氟化石墨烯具有
研究所固体润滑国家重点实验室研究员王金清课题组长期致力于FG的制备、修饰组装及摩擦学性能研究，取得了系列研究成果。该课题组以氟化石墨作为碳源，先后发展了通过液相超声剥离来制备氟化石墨烯和利用混合碱

Petermann采用蒸镀的方法已制备出厚度为43m、效率达19.1%的高效PERC电池。硅片减薄，会影响太阳电池的机械性能和吸光性能，而且必须对常规电池生产线进行改进，以适合批量投产。本文对不同厚度
新的电极制备技术，可以解决电池翘曲的问题。尚德公司与新南威尔士大学采用电镀方法制作的激光掺杂发射极电池（LDSE）的效率已突破20%。蒸镀制备电极基本上不会导致电池翘曲，在导电性方面也优于丝网印刷制备

%），电池结构如图11所示。正面采用选择性发射结结构，方块电阻达150ohm/sq，并采用Al2O3/SiNx进行表面钝化和减反射以降低表面复合速率和反射率。背面首先在电池背面采用湿化学方法制备一层超薄
第一次成功制备了HIT（Heterojunctionwith Intrinsic ThinLayer）电池。HIT电池结构简单，其中间衬底为N型晶体硅，通过PECVD方法在P型a-Si和c-Si之间插入

LiFePO4和负极材料Li4Ti5O12分别与石墨烯复合，制备了LiFePO4-石墨烯╱Li4Ti5O12-石墨烯为电极的具有高充放电速率的柔性锂离子电池，石墨烯做为锂离子及电子的通路，同时发挥导电添加剂和集流
，而且电池的弯折对充放电性能没有影响。2）隔膜：大部分商业化的锂电池隔膜都是利用PE，PP，其他聚烯烃及它们的混合物或者共聚物，通过干法或湿法工艺制备得到。在锂电池中，隔膜吸收电解液后，可隔离正、负极

的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。结构见图1。　　图1（a）IBC电池基本结构图　　图1（b）IBC电池基本结构图这种背电极的设计实现了电池正面零遮挡
生产商SollandSolar开发的用于其Sunweb电池的方法。即通过激光钻孔将电池正面收集的能量穿过电池再转移至电池背面。这种将电池能量汇集到电池背面的方法使每块电池的输出效率提高了2%，再经

薄膜对水具有显著的自修复功能，这为将来钙钛矿电池大规模商用提供了可能性。制备方法图1展示了本文的电池结构，类似于传统的无机介孔层结构。电池的制备过程类似于平面异质结结构的电池，选用TiO2与
钙钛矿太阳能电池想要在商用光伏市场中占有一席之地，就必须要求电池不仅能量转换效率高、制备成本低，还需要其器件本身具有高的稳定性，尤其是在一定湿度环境工作时的稳定性。本文作者采用了一种新型工艺

知识图谱方法展现了技术沿革的历史脉络；李春发；曹莹莹利用Cite Space软件对全球的能值研究热点进行可视化分析。然而，近几年专门对太阳能电池领域关键技术的分析特别是对未来潜在技术的预测研究相对
较少，本文将通过太阳能电池领域的期刊文献，利用共被引网络方法，探测太阳能电池领域近十年发展历程中关键技术和潜在技术。 Cite Space软件是美国Drexel大学的Chaomei Chen博士在引文

图谱方法展现了技术沿革的历史脉络；李春发；曹莹莹利用Cite Space软件对全球的能值研究热点进行可视化分析。然而，近几年专门对太阳能电池领域关键技术的分析特别是对未来潜在技术的预测研究相对
较少，本文将通过太阳能电池领域的期刊文献，利用共被引网络方法，探测太阳能电池领域近十年发展历程中关键技术和潜在技术。Cite Space软件是美国Drexel大学的Chaomei Chen博士在引文分析理论的

黑硅在很宽的波长范围内具有反射率低、接受角广的优点，在太阳能电池领域倍受关注。本文将黑硅制绒工艺应用到N型硅基体上制备成的太阳电池效率高达18.7%。在N型黑硅表面可以制作高浓度硼掺杂的发射极且不
的波段范围内反射率都很低且接受角广而备受关注。除了RIE还有其他制作黑硅的方法，如激光制绒、金属催化湿化学刻蚀、等离子体浸没离子注入等。黑硅在太阳能电池应用中的一个难题是黑硅表面面积增大而导致表面复合

原料在太阳能电池组件成本中占很大比例，尤其多晶硅材料是重要的细分行业。在生产高纯度的多晶硅技术方面，国际上传统的生产工艺主要有化学方法和物理冶金法，其中化学方法包括改良西门子法、硅烷法、流化床法，我国
）、切块、线切割片、抛光清洗等。随着硅片制备的工艺不断提高，硅材耗量也逐渐降低。目前，硅片切割厚度已经可以降至160um，而多晶硅用量降至8g/Wp。　　3、电池生产目前，太阳能电池基本上是以高纯度硅料

。多晶硅酸制绒后反射率在25%左右，反射光损失仍然很大。为了进一步降低多晶硅片表面的反射率，人们尝试和研究了很多种制绒方法。在硅片表面制备纳米结构，有效降低了反射率，硅片看上去是黑色的，被称作黑硅
。Terres等人使用飞秒激光器成功制备出黑硅并验证了其转换效率比非制绒硅电池效率高。局部金属催化湿化学腐蚀的方法也可以制作黑硅，电池效率能达到12-14%。反应离子刻蚀（RIE）技术被广泛应用于制备黑硅

中国专利优秀奖；双元炭基体优化组合的飞机炭/炭刹车盘的制造方法获陕西省专利奖一等奖；单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法获陕西省专利奖二等奖。4、加强商标与品牌建设，深化知识产权市场影响超码

一种结构简易、无空穴转移层和介孔骨架层的钙钛矿太阳电池（图a），其光电转换效率高达10%以上（图b）。该方法制备的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜具有质量高、工艺简易、可重复的优点。电池器件的工作机理
新方法，来进一步降低电池器件的制造成本。简化钙钛矿太阳电池的内部器件结构以及缩短电池器件的制备工艺流程，是降低其成本的有效方法。另外，简化电池器件的结构，能有效地揭示光伏电池的工作机理。钙钛矿太阳电池的

平、梅增霞、王燕、杨丽霞、梁会力以及杜小龙等巧妙地利用单晶硅表面上铜纳米颗粒的各向异性沉积特性，在酸溶液中实现了铜催化各向异性刻蚀，获得了大面积均匀的致密的倒金字塔绒面（图1）。所制备的156 x
队还在多晶硅/单晶硅纳米制绒方面取得了多项成果，采用金属银颗粒催化化学刻蚀方法，在酸性刻蚀液中开发出大面积均匀的多晶硅片纳米制绒工艺，其反射率低至2%，呈典型的黑硅形貌【Small 8 (2012

上生产太阳能电池硅片所用的主要方法是直拉工艺。在坩埚中，将半导体级多晶硅熔融，同时加入掺杂剂。在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够从熔融硅中拉出大圆柱形的单晶硅。半导体硅的性质依赖于它在制作过程的
。生产单晶硅的常见的方法是提纯原材料，熔融物在严格控制的温度变化速率下凝固并生长出单晶以及最后将单晶锭锯成薄片并抛光。而在硅材料的生产过程中会造成很多缺陷，而这些缺陷势必会导致晶体硅片的少数