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光伏产业硅料主要集中于西部低电价地区、几乎均是全新产能、高品质硅料占比普遍突破80%甚至90%;硅片环节以单晶硅片为主，硅片掺杂以掺镓为主，硅片尺寸以158.75mm和166mm为主，并且很快会迎接
和硅片的技术变化：是电池越来越复杂对硅片提出了更高的要求，也是硅片品质越来越好使得新电池技术应用的效益放大，即使没有隆基股份的推动，也会有B公司、或者C公司去推动单晶硅片成为市场主流(当然时间点上会再

环节电池片环节的成本，主要来源于硅片和非硅成本。 1)硅片成本硅片的价格主要由龙头定价，目前单晶低阻硅片、多晶硅片价格大约为3.12元/片和1.95元/片。按照目前的情况，单晶、多晶硅片加工
已经控制在1元/片以内，目前单晶低阻硅片、多晶硅片价格大约为3.12元/片和1.95元/片。硅片折合到单晶、多晶组件的价格分别为0.59元/W和0.40元/W。 3)电池片一线电池片企业的加工成本

的Panda-TOPCon双面电池。 2电池结构 Panda-TOPCon电池是在常规Panda电池的基础上引入隧穿氧化层和磷掺杂的多晶硅层，如图1所示。电池采用直拉法N型单晶硅片，正面依次为硼
156cm156cm的N型Cz硅片，分别进行双面硼扩散(B|B)对称结构，双面SiOx/polySi(P|P)对称结构，正面硼扩散+背面SiOx/polySi(B|P)非对称结构。之后，将这三种样品同时进行

处于很低水平时，电池的效率才会超过21%。当电池的厚度超过110m时，效率的提升幅度明显降低。2.实验　　2.1、PERC电池的制备工艺流程实验采用标准156mm156mmP型单晶硅片，扩散后方阻均为
为7%，即I2/I1=7%；前表面二次反射率为90%，即I6/I5=90%。反射率、扩散方阻以及硅材料本身的参数设定后，改变特定厚度下的表面复合速率，即可得到同一厚度下不同复合速率的硅片模拟效率。改变

摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV
）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明了电阻率高的硅片扩散后表面浓度低、结深越小，是扩散后方阻高的原因，这些结果对太阳能电池生产的扩散工艺有一定的指导意义。引言：目前，在国际环境

　　目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率
，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。　　（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须