日本科学技术振兴机构（JST）、理化学研究所和京都大学12月2日宣布，开发出了新型半导体材料，可将由涂布型有机半导体制成的有机薄膜太阳能电池的光能损失，降至与采用无机半导体的太阳能电池相当的水平。
普通的有机薄膜太阳能电池（左）与采用此次的PNOz4T的太阳能电池（右）因消除了有机薄膜太阳能电池特有的驱动力造成的能源损失，所以光能损失减小，电压升高（出处：JST）
日本科学技术振兴机构（JST）、理化学研究所和京都大学12月2日宣布，开发出了新型半导体材料，可将由涂布型有机半导体制成的有机薄膜太阳能电池的光能损失，降至与采用无机半导体的太阳能电池相当的水平。
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