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为您找到 “P<b>型<b>单晶”相关结果247 个
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综合
中国光伏产业 在全球价值链下竞争力及路径
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 09:12:57
劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
得到KMO值为0.701>0.7,巴特利特球星检验统计量对应的P值为0.00<0.05,说明满足因子分析的前提条件。根据因子分析原理,建立相关系数矩阵,得出前4个因子的累计方差贡献率为84.642
中国光伏产业
竞争力
光伏行业
全球价值链下中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 08:57:59
密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
,运用SPSS21.0软件,通过计算得到KMO值为0.701>0.7,巴特利特球星检验统计量对应的P值为0.00<0.05,说明满足因子分析的前提条件。根据因子分析原理,建立相关系数矩阵,得出前4个因子
光伏产业
光伏评论
解析光伏电池板为何产生光衰减现象
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-04 08:39:24
程度。因此要解决光伏组件的早期光致衰减问题。就必须从解决硅片问题人手。下面就几个方案进行讨论。 A、改进掺硼
P
型
直拉
单晶
硅棒的质量 一些
单晶
棒的质量确实令人担忧,如果不能有效的改变这一状况将
光伏组件
太阳能电池
光伏科技
用原子层沉积方法制作氧化铝钝化膜的太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-11 23:59:59
太阳能电池。存在负电荷Al2O3的低电阻率
P
型
硅通过良好的背钝化,转换效率已经达到 20.6%。其中最优工艺是30nm的Al2O3薄膜上覆盖着200nm通过等离子增强化学沉积(PECVD)的硅氧膜
过约400℃的退火,低电阻率(~1cm)
P
型
硅片存在Al薄膜和热生长的SiO2,这样轻掺杂背表面可以实现非常低的表面复合速率(SRVs)。另外,对于近能带隙光子,堆叠在硅片背面的SiO2/Al充当良好
光伏要闻
2015年SNEC光伏新品大盘点
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-02 11:03:45
适用于
单晶
和多晶太阳能电池的背银浆料。SOL205B浆料的最新构成使得浆料中的银和玻璃化学物质在经过高温前后都具备更高且持久的附着力。不仅如此,SOL205B浆料还有助电池制造商优化主栅线附着力,从而
SNEC
光伏展会
电池片制作工艺对硅片中同心圆的影响
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-01 15:01:19
将硼掺杂到直拉工艺的熔料中,从而生产出
P
型
硅片。为了制造太阳电池,必须掺入n型杂质,以形成p-n结。磷是常用的n型杂质,现在常用的工艺是载气通过液态的POCl3混入少量的氧后通过排放有硅片的加热炉
电池片
同心圆
光伏科技
MWT背接触晶体硅光伏技术概述
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-04 09:55:17
引到背面,这样电池的正负电极点都分布在电池片的背面,有效减少了正面栅线的遮光,提高了转化效率,同时降低了银浆的耗量和金属电极-发射极界面的少子复合损失。 图1
P
型
硅MWT电池结构示意图
接近,当然在细节方面还是有所差异,图3是德国ISE研究所提出的一个
p
型
硅MWT电池基本工艺流程。 图3所示的MWT电池工艺流程,和常规电池相比,在清洗制绒前增加了一道激光打孔工艺,此外还采
晶硅太阳能电池
导电背板
光伏技术路线讨论——为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-09 09:25:36
大规模应用于国内外市场。一个新的改进是,已能向国内外市场提供高效
P
型
硅基聚光电池,以及提供直到4倍聚光漏斗,转盘式跟踪系统的全套生产线,现正在设法推进全套生产线的产业化。 遗憾的是,这一聚光+跟踪
发电技术,对散射光无增益,而且,这一高效
p
型
聚光电池,虽然其每瓦售价要比n型聚光电池低出很多,其转化率,仍比n型聚光电池低16%,而且也有微弱的光致衰减效应!在紫外线比较丰富的地区,在技术上仍需要依存
薄膜电池
聚光
光伏科技
【光伏技路线术讨论】为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-08 23:59:59
,已能大规模应用于国内外市场。一个新的改进是,已能向国内外市场提供高效
P
型
硅基聚光电池,以及提供直到4倍聚光漏斗,转盘式跟踪系统的全套生产线,现正在设法推进全套生产线的产业化。遗憾的是,这一聚光+跟踪
发电技术,对散射光无增益,而且,这一高效
p
型
聚光电池,虽然其每瓦售价要比n型聚光电池低出很多,其转化率,仍比n型聚光电池低16%,而且也有微弱的光致衰减效应!在紫外线比较丰富的地区,在技术上仍需要依存于
光伏要闻
高效硅基异质结太阳能电池量产的关键因素
来源:索比光伏
发布时间:2015-02-25 11:10:48
了25.6%的记录,这在硅基太阳能电池技术中是最高的。 与传统的
P
型
单晶
/多晶太阳能电池相比,n
型
单晶
衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率,而且只需要很少的工艺步骤。同时,HJT具有独特
异质结
太阳能电池
光伏科技
电池片为什么会发生光衰减现象 影响因素有哪些?
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-27 14:06:02
问题人手。下面就几个方案进行讨论。A、改进掺硼
P
型
直拉
单晶
硅棒的质量一些
单晶
棒的质量确实令人担忧,如果不能有效的改变这一状况将严重影响光伏产业的健康发展在掺硼直拉
单晶
产品中主要存在的问题和改进措施:1
光伏要闻
【刘工总结】光伏组件问题系列总结——电池片为什么会发生光衰减现象 影响电池片光衰减的因素有哪些?
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-26 23:59:59
。就必须从解决硅片问题人手。下面就几个方案进行讨论。A、改进掺硼
P
型
直拉
单晶
硅棒的质量一些
单晶
棒的质量确实令人担忧,如果不能有效的改变这一状况将严重影响光伏产业的健康发展在掺硼直拉
单晶
产品中主要存在的
光伏要闻
全球光伏发展简史
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-24 23:59:59
。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/
p
型
单晶
硅光伏电池,这种电池抗辐射能力强,这对太空电池很重要;Hoffman电子的
单晶
硅电池效率达到9%;第一个光伏电池供电的卫星先锋1号发射
光伏要闻
新原理太阳能电池取得进展,转换效率达到8.1%
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-04 23:59:59
限制的情况。以往的太阳能电池是采用
p
型
和n型半导体的组合(pn结)等来分离载流子,新型太阳能电池完全不采用pn结,而是利用强介电性材料内部残留的具备自发极化特性的晶粒和晶界来分离载流子。基于这一原理的
光伏要闻
【刘工总结】光伏组件封装材料总结之—电池的特性与设计
来源:索比光伏
发布时间:2014-12-09 23:59:59
3.1、特性3.1.1、功率在实验室条件下,随着当前技术的发展水平,做到
单晶
硅太阳电池的效率超过23%是有可能的。然而,作为商业生产的代表效率只有17%-18%.造成这种现象的因素有很多,但最重要的
价格都能够在一定程度上降低组件的价格,随着当前
单晶
硅与多晶硅的发展技术,在产量每年10MW的生产水平下,硅片的价值占每瓦特组件的价值的一半(Darkazalli,1991)。工厂电池效率仍在讨论之中
光伏要闻
HJT技术:引领高效太阳能光伏电池生产(图表)
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-19 14:33:59
批次中iVoc均匀性仍在0.84%以内。与传统的
P
型
单晶
/多晶太阳能电池相比,n
型
单晶
衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率而且只需要很少的工艺步骤。同时,其独特的无PID(电势诱导衰减)和无
HJT技术
太阳能光伏电池
HJT技术:引领高效太阳能光伏电池生产
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-19 11:50:35
光伏系统所计算出的相对于
P
型
多晶组件的LCOE比例 (a) 6英寸硅片上5个点位置的潜在开路电压(iVoc)值和iVoc均匀性;(b) 1,150mm1,450mm PECVD 托盘上5个点位置
高效电池
HJT
光伏电池
组件
光伏电站价值提升策略之组件选型-
单晶
VS多晶
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-28 23:59:59
);实际两家电站第一季度发电量对比情况为多晶比同心差异为-6.52%。与计算模拟结果非常接近。目前多晶电池产业化水平在17%-17.5%; N
型
单晶
电池的产业化水平在21%-24%;
P
型
单晶
光伏要闻
WTO裁定传利好 光伏中概股反弹望引爆A股
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-17 08:30:05
亿元,YOY分别下降12.5%和增长10.9%(扣非后分别同比增长62.5%和33%),EPS分别为0.59元、0.65元,对应目前A股股价P/E分别为13.8倍和12.4倍,PB2.08倍,B股P/E分别为8.4倍和7.5倍,PB为1.26倍,估值较低,对A、B股均给予买入的投资建议。
WTO
双反
反补贴
关税
国家战略新高地:高效太阳能电池技术
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-16 09:01:59
太阳能电池。截至2013年底,太阳能电池产品中,晶体硅太阳能电池(主要是
P
型
单晶
硅电池和多晶硅电池)占据市场主导地位,市场占有率超过90%;薄膜电池的市场占有率不到10%;新型电池及新概念电池大多
,可能需要我们实现从常规
P
型
晶体硅技术,到
P
型
晶体硅的PREC/PERT技术以及N型电池技术(含N型双面、异质结、背接触、异质结背接触电池)的转变。同时,薄膜电池与晶硅电池相比,在光电转换效率、成本和
太阳能电池
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