由于 HJT 电池衬底通常为 N 型单晶硅,而 N 型单晶硅为磷掺杂,不存在 P 型晶硅中的氧复合、础铁复合等,所以 HJT 电池对于 LID 效应是免疫的。 以 N 型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n
Layer of Crystalline Silicon Solar Cells》(晶体硅太阳电池N型层接触用银浆技术规范)通过了新修订的SEMI浆料标准全球投票,并于2021年4月正式发布。 由贺利氏光伏参与主编制定的《SEMI PV54-0421 Specification for Silver Paste, Used to Contact with N+ Diffusion