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。红色折线为HTL采用氧化钨（WOx）的元件，蓝色折线为HTL采用MoOx的元件，　　黑色折线是原来的采用p型半导体材料的元件。（b）是元件构造的概要。　　　　左为原来的
高分子材料PTzNTz（thiophene and thiazolothiazole）。　　　　在500小时的耐热性试验中没有劣化　　　　尾坂等人采用这种PTzNTz和n型半导体材料富勒烯

元件，蓝色折线为HTL采用MoOx的元件，黑色折线是原来的采用p型半导体材料的元件。（b）是元件构造的概要。开发出这项技术的是日本理化学研究所创发特性科学研究中心创发分子功能研发组高级研究员尾坂格等人
和n型半导体材料富勒烯诱导体，作为活性层材料，试制出了OPV元件。为评估其耐热性，将OPV元件放在摄氏85度的氮气中保存了500个小时。原来采用p型半导体材料的OPV元件在同样的耐热性评估中，能源效率

用拉力计测试，结果大于2.5N。 8)切割后电性能均匀度：用镭射划片机将电池片化成若干份，测试每片的电性能保持误差在0.15w。 5.检验规则：以上内容全检，若有一项不符合检验要求则对该批进行千分之
大于35N为合格。 b.EVA与玻璃的剥离强度：方法同上，用拉力计一端夹住EVA，另一端固定住玻璃，拉力大于20N为合格。 6)交联度测试：见交联度测试方法，试验结果在70%-85%之间为合格

用拉力计拉开TPT与eval，拉力大于35N为合格。b.EVA与玻璃的剥离强度：方法同上，用拉力计一端夹住EVA，另一端固定住玻璃，拉力大于20N为合格。6）交联度测试：见交联度测试方法，试验结果
一、电池片1.检验内容及方式：1）电池片厂家，包装（内包装及外包装），外观，尺寸，电性能，可焊性，栅线印刷，主栅线抗拉力，切割后电性能均匀度。（电池片在未拆封前保质期为一年）2）抽检（按来料的千分之

硅棒制作中要避免使用低质量的多晶硅料;控制掺人过多低电阻n型硅料，避免生产高补偿的p性单晶棒，因为硼氧含量极高，将导致光伏组件出现大幅度光致衰减；提高拉棒工艺水平，降低硼氧含量，降低缺陷密度，改进电阻率
晶体硅的缺陷，从而彻底解决了掺硼的硅片，光伏组件的衰减问题。方法四：使用掺p的n型硅替代掺硼的p型硅片，n型硅片可以解决光致衰减问题，但是从现有技术和工艺来看，在转换效率和制造成本上没有优势

浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的早期光致衰减。我们强烈要求不使用低电阻率N型硅料。 3）一些公司拉棒工艺不过关，晶体硅中氧含量过高，内应力大，位错缺陷密度高，电阻率不均匀，都直接影响
用掺稼的硅片制作的电池，没有发现太阳电池的早期光致衰减现象，也是解决太阳电池早期光致衰减的办法之一。 E、使用掺磷的N型硅片代替掺硼的P型硅片使用诰硅片也是解决电池初试光致衰减问题的方法之一

太阳能电池。存在负电荷Al2O3的低电阻率P型硅通过良好的背钝化，转换效率已经达到 20.6%。其中最优工艺是30nm的Al2O3薄膜上覆盖着200nm通过等离子增强化学沉积（PECVD）的硅氧膜
钝化替代品需要拥有和SiO2相同的特性，这是在未来工业生产晶体硅高效太阳能电池所必须的。另一种主要研究的替代品是氮化硅（SiNx），一般用化学汽相淀积（PECVD）法在约400℃时生成，而且在P型硅上