光伏咨询搜索-索比光伏网

索比光伏网讯:近日，中国科学院微电子研究所贾锐研究员带领的高效太阳能电池研究团队成功研制出国内首款异质结背接触原型太阳能电池（2cm2cm）。　　异质结背接触(HIT-IBC)电池作为高端高效
异质结背接触原型太阳能电池的研究奠定了良好的基础。图1：异质结背接触太阳电池的实物照片　　图2：异质结背接触太阳电池的截面结构图

太阳能电池的技术。比如，美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池(InterdigitatedBackContact,IBC)以及松下子公司夏普主导的HIT薄膜太阳能电池均为提高单晶硅
N型太阳能电池转换效率的创新之举。IBC步骤多于20。由于更高的成本与复杂性，IBC更容易被半导体行业所接受而非光伏企业。很多光伏企业并无设备、金融资本以及技术专家来采用这项技术。HIT的步骤少于

列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。　　第二种方案涉及到有关单晶硅N型太阳能电池的技术。比如，美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池
(Interdigitated Back Contact,IBC) 以及松下子公司夏普主导的HIT薄膜太阳能电池均为提高单晶硅N型太阳能电池转换效率的创新之举。　　 IBC步骤多于20

的发展前景。a-Si：H/c-Si异质结电池已经成为最有市场前景的太阳电池之一，受到国际上许多国家的广泛关注，目前许多研究机构和企业正在开展a-Si：H/c-Si异质结电池的研究。Sanyo的HIT
证明少子寿命越高，太阳电池的短路电流、开路电压也会越高。因此开展对本征非晶硅薄层钝化后硅片少子寿命的研究是制备高效HIT电池的前提和关键。2实验实验采用PECVD技术，在单晶制绒硅片上双面沉积本征非晶硅

发电系统解决方案。晶澳太阳能在研发方面投入了巨大的资源，同时也取得了显著的成绩。我们致力于背面点接触技术、HIT和IBC等下一代光伏技术的研发，大幅度提高晶体硅晶片太阳能电池的转换效率，并在成本增加不大的情况下
for Photovoltaics Innovation）。光伏创新研究中心的建立，将在高性能硅基太阳电池技术、低成本薄膜太阳电池技术和第三代高效太阳电池探索研究，在相关关键技术上形成自主的知识产权，并将研究结果产业化

事业部第一炉多晶硅锭正式出炉。该锭净重420KG，由其自产的DRZF-450型多晶硅浇铸炉浇铸而成，这标志着天龙光电多晶事业正式迈向市场。苏州中来推出FFC 双面四氟背膜目前，太阳电池组件的有效使用寿命
。因此，全面系统地认识背膜在太阳电池组件可靠性影响中的地位，显得尤为重要。提升太阳电池背膜的技术性能，对于提高太阳电池组件的耐久性和可靠性，对于光伏行业的快速良性发展具有十分重要的意义。苏州中来

薄膜太阳能电池及与晶体硅结合的HIT太阳能电池制造关键设备的研发和生产，为薄膜太阳能电池制造厂商提供性能更先进的、产能更高、价格更低廉的高端制造设备。理想能源公司于2009年8月在上海浦东新区注册成立
20%上周五（3月16日），由超日太阳、中科院电工研究所、上海交通大学共同主办的863计划新型太阳电池中试及前沿技术研究主题项目启动会议在上海西郊宾馆召开。会议上，记者了解到，由超日太阳参与并承担中试及

重大项目MW级薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池产业化关键技术，并签订四方战略合作协议。其中，电工所负责薄膜硅/晶体硅异质结太阳能电池的实验室研究和协助进行中试工艺技术研究;上交太阳能所配合进行中试试验研究
、5年期的固定利率公司债券。分析人士认为超日太阳10亿元募资的顺利完成，将会给公司效益带来新一轮的跨越增长;而此次超日太阳所担纲的薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池项目在核心技术上的突破及顺利实现产业化，将会

上周五(3月16日)，由超日太阳、中科院电工研究所、上海交通大学共同主办的863计划新型太阳电池中试及前沿技术研究主题项目启动会议在上海西郊宾馆召开。会议上，记者了解到，由超日太阳参与并承担中试及
产业化的MW级薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池产业化关键技术课题项目目前中试顺利，计划今年6-8月进入安装调试阶段。在该项目中承担技术牵头人角色的中国国际科技促进会理事、上海超日战略发展研究员彭德香告诉记者

索比光伏网讯:上周五（3月16日），由超日太阳、中科院电工研究所、上海交通大学共同主办的863计划新型太阳电池中试及前沿技术研究主题项目启动会议在上海西郊宾馆召开。会议上，中国资本证券网记者了解到
，由超日太阳参与并承担中试及产业化的MW级薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池产业化关键技术课题项目目前中试顺利，计划今年6-8月进入安装调试阶段。在该项目中承担技术牵头人角色的中国国际科技促进会理事、上海超日

接触（Bifacial Interdigitated Back-contact；IBC）高效太阳电池采用的即是N -Type矽晶圆，N-Type单晶可望成为晶材未来的发展重点。就太阳能电池方面，太阳能
合作合约限制其在IBC领域的挥洒空间，同样采用单晶N-Type矽晶圆、专利到期由日本三洋专属的HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin Layer）高效太阳能电池

生产商联名上书，要求美国国际贸易委员会及美国商务部制裁中国光伏企业的"倾销"行为，要求美国联邦政府对进口中国的太阳电池板征收"超过100%"的进口关税。对于中国光伏企业不利的是，原材料和销售市场两头在外的
高盛将展示《太阳能电池及HIT银电极浆料的导电性及其与接触界面的研究》；武汉三工光电设备制造有限公司总经理何成鹏将与您共同探讨《激光技术在太阳能晶体硅产线具体应用》；山东孚日光伏科技有限公司总经理王岩

光伏行业中的应用”、“HIT电池技术概要及未来发展趋势”、“c-Si当前及未来的研究热点”、“超小绒面在晶体硅太阳能电池中的应用研究”、“离子注入在晶硅电池片制造的过去、现状和将来”、“RSP技术与设备在
太阳电池”、“薄膜太阳能电池现状及未来挑战面临的挑战”、“新型太阳电池技术”、“倍耐克薄膜电池技术与设备研发现状”等行业关心的问题做了精彩的演讲。最后上海太阳能电池研究与发展中心副总工程师杨立红做了