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环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1．4eV
，正好为高吸收率太阳光的值，因此，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和LPE技术，其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错、反应压力、III-V

合型太阳能电池单元转换效率中为全球最高水平。夏普意在利用此次的成果，开发地面设置型聚光系统。转换效率实现43.5％的单元，采用了在InGaP顶层单元上组合GaAs中层单元和InGaAs底层单元的构造
（JSC）为41.6mA/cm2、开路电压（VOC）为696mV、形状因子（FF）为80.4％。　　5、逆向思维让光逃逸，美大学与Alta Devices的薄膜GaAs太阳能电池实现28.3％转换效率美国

(9.600,0.22,2.35%)：GaAs太阳能外延片业务快速保持增长东兴证券认为，受LED芯片价格大幅下跌影响，公司上半年净利润出现较大幅度下滑：公司上半年实现营业收入19330.47万元，同比去年
务收入15970.34万元，同比下降4.78%;毛利率同比下滑20.47%。上半年公司GaAs太阳能外延片营业收入为3185.81万元，同比大幅增长124.76%，但是受到今年光伏整体市场不景气导致的

索比光伏网讯:低价、高效率砷化镓(GaAs)薄膜太阳能将成为无所不在的嵌入式电源。不畏太阳能产业低迷，美国矽谷薄膜太阳能技术创新公司--Alta Devices正积极透过专利的GaAs材料薄化、堆叠
Christopher Norris提到，目前Alta Devices的GaAs薄膜太阳能电池制作良率高达99%，技术相当纯熟。 Alta Devices董事长暨执行长Christopher Norris表示

，具有极多的种类和各种特性，这个特点有利于开发不同特性、各具特色的太阳能电池。具有代表性的化合物太阳能电池是砷化镓（GaAs）太阳能电池，其特点是高效率、耐辐照，是重要的宇宙空间用太阳能电池。小面积多结
单晶GaAs太阳能电池的最高转换效率已经达到38%，但由于其原材料成本与Si系相比较高，资源量极其有限，这极大限制了它在地面的应用。以III-V族化合物中另一代表性的化合物电池是InP太阳能电池。与

太阳能电池是砷化镓(GaAs)太阳能电池，其特点是高效率、耐辐照，是重要的宇宙空间用太阳能电池。小面积多结单晶GaAs太阳能电池的最高转换效率已经达到38%，但由于其原材料成本与Si系相比较高，资源量
极其有限，这极大限制了它在地面的应用。以III-V族化合物中另一代表性的化合物电池是InP太阳能电池。与GaAs相比，它不需要制成异相机结构。此类电池的最高转换效率已经达到22%，但大部分研究结果显示为