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%至5%，尺寸也小。其后随着技术进步，并通过改善材料的结构与设备装置等，逐步提升转换效率。目前普遍采用非晶硅、锑化镉、铜铟镓硒等三种薄膜技术。其中，CIGS的转换效率较高，发电时的背板不易发烫，但制作
市场，也是个全新的运营商机，厂商只要能找到利基产品，有一定的市场需求，配合稳健的财务结构，就有机会胜出。　　　　薄膜技术的发展其实相当早，最初的商品化应用包括计算机、温度计等，但转换效率低，只有约4

的户外测试设施，同时让现有的硅晶模块检测中心提供更完整的服务。薄膜技术是环保能源的一项最新科技，也是太阳能市场迅速发展最重要的技术之一。此外，未来德国莱因日本公司将会扩大其太阳能模块的检测能力。新的
化镉（CdTe）和铜铟镓硒（CIGS）等各类薄膜基板的检测，针对太阳能模块及零件认证，于安全性及耐久性部分提供客户最好最佳的解决方案。德国莱因集团是太阳能行业世界知名的检测与认证机构，可提供一站式购足

审查与型式认证。这项新增项目加强了现有的户外测试设施，同时让现有的硅晶模块检测中心提供更完整的服务。　　薄膜技术是环保能源的一项最新科技，也是太阳能市场迅速发展最重要的技术之一。　　此外
，以应对多接面（Multi-junction）、非晶硅（a-Si）、锑化镉（CdTe）和铜铟镓硒（CIGS）等各类薄膜基板的检测，针对太阳能模块及零件认证，于安全性及耐久性部分提供客户最好最佳的

降低约50%，达到1.4美元每瓦，CIGS组件的成本将降至0.75美元每瓦。●　　随着效率的提升，相对于传统的多晶硅制造商，高效率的单晶硅和低成本的薄膜技术将有30%的成本优势。2009年将是
报告，分析了影响区域和全球光伏技术需求的因素。报告称，2009年将出现自1994年以来最虚弱的成长率，到2012年亚洲多晶硅和铜铟镓硒(CIGS)电池将占据光伏产业的主导地位，而碲化镉(CdTe)和极

了一份报告，分析了影响区域和全球光伏技术需求的因素。报告称，2009年将出现自1994年以来最虚弱的成长率，到2012年亚洲多晶硅和铜铟镓硒(CIGS)电池将占据光伏产业的主导地位，而碲化镉(CdTe
2008年的28%上升到2012年的50%。到2015年硅基电池组件的成本预期将降低约50%，达到1.4美元每瓦，CIGS组件的成本将降至0.75美元每瓦。随着效率的提升，相对于传统

。有资料显示，美国薄膜电池的产量已经超过了多晶硅和单晶硅电池的产量。薄膜技术会越来越成熟，在未来的市场份额中将大比例提升。据行业分析公司NanoMarkets预测，薄膜太阳能电池2015年的发电量将
达到26GW，销售额将超过200 亿美元，太阳能电池发电量的一半以上将来自薄膜太阳能电池。预计在未来薄膜电池市场中非晶硅(a-Si)、碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)三种电池将分别占到薄膜光伏

(Tandem)的硅薄膜量产技术渐渐崭露头角，而未来3复合层太阳能电池(Triple Junction)量产技术是否能成功，才是攸关硅薄膜技术能否胜出的关键。而2009年将会是铜铟镓硒(CIGS
)太阳能电池关键的1年，市场预期将有更多CIGS厂商加入量产行列。产业仍处婴儿期中期朝太阳能发电与市电成本相当为目标现阶段太阳能仍处于扶植中的产业型态，由于量产技术所需成本仍高

(CIGS)等相关设备厂均有机会，市场传言多样，对相关设备厂来说，友达订单花落谁家？是人人有机会各个没把握。友达2008年10月由总经理陈来助领军宣布，投入转换效率为10%的第3代薄膜太阳能
了解动作，传言目前3个主要腹案评估的范围也包括上述2个类型的薄膜技术。有太阳能厂商指出，若以堆栈式微晶硅为主，则友达的设备订单落在3大国际设备厂，包括美商应材(Applied)、瑞士商欧瑞康

非晶硅薄膜技术，预计到2010年，非晶硅薄膜将占薄膜太阳能电池产量的一半，其产量在未来薄膜太阳能电池中更将使占据主要份额。同时，碲化镉（CdTe）薄膜电池，作为2007年产量最大的太阳能电池，在被非晶硅薄膜
非主流的特殊太阳能电池技术由少数公司采用。同时，铜铟镓硒（CIGS）作为“最令人激动、也是最难琢磨的技术”，可能在2009年取得突破性进展，一些采用该技术的公司可能会于2011年达到first

降低硅晶圆基的PV制造设备投入，使之可以与最新的薄膜技术相媲美。薄膜PV方法需要廉价的沉积工具，可以沉积多晶硅，或者Cd-Te、CdS、CIS和CIGS化合物薄膜。 Gupta还介绍说，除了设备成本
。” 由于未披露其独享的知识产权信息，该技术开发公司仅仅发布对了TCSS技术基本原理的研究，并表示将“扩展这项可靠的晶体硅技术，达到PV模块所需的每片低于2美元的程度，与此同时，可以提供比玻璃衬底薄膜技术的

μm。他说，TCSS晶圆可以降低硅晶圆基的PV制造设备投入，使之可以与最新的薄膜技术相媲美。薄膜PV方法需要廉价的沉积工具，可以沉积多晶硅，或者Cd-Te、CdS、CIS和CIGS
衬底薄膜技术的空间效率高50%，表面更粗糙的面板。” 此外TCSS方法可以降低对厚硅晶圆以及昂贵的多晶硅生产设备的需求。硅晶圆具有晶体结构，可以获得约15-22%的转换效率，这一

，CIGS薄膜太阳能电池/模组的产量已由2006年的5MW，成长至2007年的21.5MW，占所有薄膜技术产量总和的4.8%。以下就近年发展较快的厂商作一介绍。 (一)Wurth Solar 德国的
在太阳光电热潮不退，而硅材缺料压力未解与薄膜技术发展潜力备受看好的态势下，全球已有百家以上厂商投入薄膜太阳能电池的研发制造，且数量还有增加的趋势。薄膜太阳能电池的市占率已从2006年的7.6%上升

在太阳光电热潮不退，而硅材缺料压力未解与薄膜技术发展潜力备受看好的态势下，全球已有百家以上厂商投入薄膜太阳能电池的研发制造，且数量还有增加的趋势。薄膜太阳能电池的市占率已从2006年的7.6%上升
到2007年的10.4%，一般认为至2010年应可达到20%。然而薄膜太阳能电池细分下又有不同的技术，各领导厂商间的发展亦互有差异。以下就各类薄膜技术的领导厂商之发展概况作一说明。一、硅薄膜

太阳能光伏产业投资热潮，未来3-5年随着薄膜技术的日趋成熟，碲化镉(CdTe)和CIGS等技术将会有新的突破，卷式(roll-to-roll)设备和可印刷铜/铟/镓/硒(CIGS)墨水等设备应用的技术创新也会取得新进展。这将有望进一步带动中国太阳能光伏产业新一轮增长。 (编辑:xiaoyao)

CIS/CIGS、碲化镉CdTe)，与新概念的染料敏化类。　　虽然目前薄膜太阳能电池的市占率不到一成，其转换效率、量产良率、设备成本等问题也待克服，然而薄膜太阳能电池具节省材料、可在价格低廉的玻璃、塑料
或不锈钢基板上制造、可大面积制造、可制成可挠性、容易搭配建筑外墙施工应用弹性大等优点，已广被各太阳光电业者、研究机构所看好，将是次世代的太阳光电明星产品。　　薄膜技术中以非晶硅太阳能电池为最大宗，而

）或铜铟镓硒（CIGS）完全取代了硅材料。尽管CIGS的实验结果令人满意，但是由于其产品的尺寸问题，这项技术尚不能进入商用阶段。与此同时，First Solar (Tempe, Ariz.)在薄膜
6-8%，而后者达到了13-19%），但是这项技术却在其它一些方面表现突出。总体上，我们相信薄膜技术的成本优势十分突出，但是困扰我们的是还没有合适的量产产品来发挥这一优势，Sargent说道

，主要用于卫星和军事应用，通常采用光学聚光和复杂的跟踪系统，能够实现40%的转换效率。长期来看，薄膜技术对于降低太阳能光电系统的成本具有最大的潜力。薄膜太阳能电池中使用的材料，例如碲化镉(CdTe)和铟
化铜(镓)的二硒化物(CIS或CIGS)都是较强的吸光材料，只需要1mm的厚度。这样一来，材料成本就可以大大降低了。薄膜太阳能电池也能够采用非晶硅(a-Si)来制造，非晶硅是第一种实现商用太阳能产品的