。第二,黑硅技术的设备成本降低,电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外,还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量,降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配 黑硅技术的工艺,能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术,以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal
成果:基于 P 型单晶 PERC 电池技术的HyperC 高效单晶组件、以 P 型多晶黑硅电池技术为核心的Hyper Black 高效多晶组件,以及基于 N 型电池片技术工艺的 银河新一代高效 N 型 多晶组件则采用金刚线切片技术,降低成本,更具经济性,更有利于从整体上降低度电成本;独特的纳米制绒技术令电池外观一致,更具美观性。湿法黑硅(MACE)刻蚀使得电池片效率提升0.3%~0.5%,再加上先进