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并网逆变器，太阳能光伏离网逆变器，光伏发电站离网逆变电源，光伏控制逆变一体机，风光互补控制器，太阳能充电控制器，太阳能（光伏）专用的蓄电池组，非晶硅太阳能薄膜电池，以及电能回馈式节能负载等等。冠军
控制器、太阳能警示器、太阳能充电器、太阳能风帽和各类规格非晶硅太阳电池等等。哈尔滨鸿鹏贸易有限公司公司成立于1998年9月5日，是集科工贸于一体的综合性公司。主要从事研发、生产和经营太阳能组件及各种与

和多晶硅太阳电池，工作电压(Vmp)的温度系数约为-0.0045/℃(折合70℃时的系数为0.8);开路电压(Voc)的温度系数约为-0.0034/℃(折合-10℃时的系数为1.12)。对于非晶硅薄膜电池
:lrradiance1000W/m2,Moduletemperature25℃,AM=1.5)的数据。对于非晶硅薄膜光伏组件以某公司的非晶硅组件40Wp型号为例(STC条件下，Vmp=46V，Voc=61V，Pm=40W

工业项目，汉能硅基薄膜太阳能研发制造基地将对禹城市乃至山东省经济发展起到推动作用。据记者了解，非晶硅锗薄膜太阳能电池具有良好的弱光性能和温度性能，实际发电量大;应用广泛，能做成半透明和柔性电池，在发电
这一领域，相较于晶体硅太阳能电池，薄膜太阳能电池的应用占据显著优势。汉能集团于化丛博士接受记者采访时表示，山东禹城汉能硅基薄膜太阳能电池项目采用汉能自主知识产权的三叠层非晶硅锗薄膜太阳能电池技术。于化丛介绍

自主知识产权的三叠层非晶硅锗薄膜太阳能电池技术。于化丛介绍，薄膜电池可在任何形状的衬底上制作，这不但使得它能被直接做成屋瓦式太阳能电池，节省安装空间，减少系统成本；同时，由于薄膜太阳能
，作为山东省引进的规模最大的工业项目，汉能硅基薄膜太阳能研发制造基地将对禹城市乃至山东省经济发展起到推动作用。据记者了解，非晶硅锗薄膜太阳能电池具有良好的弱光性能和温度性能，实际发电量

生产设备之一。华工激光新推出的激光刻膜机LDY1040/LDG540采用先进的激光刻蚀技术，对太阳能非晶硅薄膜电池板的电极层和发电层进行刻蚀。整机采用龙门式结构，由工作台带动电池板与激光头作相对运动。X-Y
、生活中很可能成为替代煤和石油的重要能源之一。图1：非晶硅薄膜太阳能电池图2：非晶硅薄膜太阳能电池的层叠结构图3：非晶硅薄膜太阳能电池生产的主要设备和工艺流程图4：将连续的膜层细分为单个电池图5：在单个

高达3000亩。从光伏电站基地向东几十公里，就到了禹城高新技术开发区，这里有汉能控股的另一项目非晶硅薄膜电池生产基地。目前该项目正在进行土建工程，工地上布满了土堆，地上建筑物只有几栋活动板房。而根据原先
。 8 下一页余下全文作为李河君的发迹之地，广东河源1GW（吉瓦，1GW=1000MW）的非晶硅薄膜电池生产基地是汉能控股签下的第一个光伏项目。2009年7月1日，汉能控股与河源市

索比光伏网讯:世纪新能源网（记者孙文艳）现场报道，经过2年时间建设，累计投资约8亿元的湖南省首个非晶硅太阳能薄膜电池生产线在湖南共创光伏科技有限公司顺利达产。该项目占地面积209亩，一期建已成4万
平方米行政科研大楼宿舍和刚构厂房，全套引进瑞士欧瑞康最新量产的微晶硅叠层薄膜太阳能电池生产线，量产非晶硅薄膜电池组件光电转化率达到10%以上，居于全球同类产品领先地位。湖南省常委副省长陈肇雄，新华社原

自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。点评：为保证《规划》顺利实施，科技部提出将鼓励各类社会资本的投入
发布《太阳能发电科技发展十二五专项规划》，在太阳能发电规划中，我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以与常规能源竞争作为十二五规划的总体目标。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大

索比光伏网讯:禹城汉能硅基薄膜太阳能研发制造基地投产仪式暨禹城高新区创新提升工程启动仪式在禹城高新区举行。当天禹城汉能公司4条非晶硅锗三叠层薄膜太阳能电池生产线正式量产，全部达产后每天产量将达到1万
片，今年底将达到130万片。据了解，这130万片硅基薄膜太阳能电池使用后每天可发电6万千瓦时。薄膜电池可降低97%的硅原料使用该项目位于禹城市高新区，是德州市十二五期间重点建设项目，是山东省大力发展

自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。　　为保证《规划》顺利实施，科技部提出将鼓励各类社会资本的投入
2020年有望降低到0.05欧元/千瓦时。我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以常规能源竞争作为“十二五”规划的总体目标。　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大

自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。　　沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉
1 .26G W，在建的太阳能热发电站超过2 .24G W，年平均效率超过12%。　　布局三大技术研发　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池

的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉，十一五末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池产品质量逐年提升，尤其是在
%。　　布局三大技术研发《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。在关键指标设计上，《规划》明确到2015

材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池
　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅

%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10
晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30

自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%等。《专项规划》还对大规模并网电站、分布式发电、直流并网、太阳能热利用等方面提出了具体要求。为实现以上目标，《专项规划》明确了十二五期间光伏技术发展的
电池关键配套材料产业和成套生产线大量依赖进口，高效晶硅电池、碲化镉薄膜和铜铟镓硒薄膜电池商业化生产线、商业化太阳能热发电站和太阳能系统测试基地仍处于空白。《专项规划》明确了十二五期间光伏技术的发展目标