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许多CIGS制造商已经找到了生产工艺，来把这种化合物储存在成卷的柔韧金属箔上或塑料上。
太阳能电池的制备需要半导体材料，包括铜、铟、镓、硒(CIGS)，效率可能两倍于非晶硅，但是它们对湿度更敏感，所以需要更好地保护，以免于水分侵蚀。

另外，最新方法使用了一种极有潜力的化合物黄铜矿——也被称为CIGS(铜铟镓硒)，CIGS能大大提高太阳能转换效率。
索比光伏网讯: 据美国物理学家组织网6月28日报道，美国俄勒冈州立大学的工程师们首次找到了一种方法：使用喷墨打印技术成功地制造出了CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池，新方法使原材料浪费减少了90%，并通过使用一些富有潜力的化合物

另外，最新方法使用了一种极有潜力的化合物黄铜矿——也被称为CIGS（铜铟镓硒），CIGS能大大提高太阳能转换效率。
　　据美国物理学家组织网6月28日报道，美国俄勒冈州立大学的工程师们首次找到了一种方法：使用喷墨打印技术成功地制造出了CIGS（铜铟镓硒）薄膜太阳能电池，新方法使原材料浪费减少了90%，并通过使用一些富有潜力的化合物

在两地政府的共同资助下，香港中文大学与中国科学院深圳先进技术研究院合作，近日成功研发出光电转换效率达17%的铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，领先全国，比肩世界顶级水平。
CIGS电池以价格低廉的玻璃、塑胶、金属箔片作为基底，再镀上1/200毫米的多层薄膜材料组成可在阴天及散射光下发电，适用于高楼林立的城市环境，比传统的晶体硅太阳能电池薄98%，成本降低一半，被称为 “下一代非常有前途的新型薄膜太阳能电池

CIGS薄膜太阳能电池把原料是铜（Cu）、铟（In）、镓（Ga）、硒（Se）的化合物作为发电层。在当时属于新一代类型。数佐虽然说本田最讨厌跟风。
而且据Soltec开发中心中心长船川和彦称，四种金属元素能够吸收不同的波长发电，因此，即使日光较弱，也能够坚持发电，在阴影遮盖屋顶的时候，功率降幅也比较小。

HCPV芯片的生产过程如下，首先利用MOCVD技术在4英寸锗衬底上外延砷化镓和铟镓磷形成３结电池片的材料，然后在外延片上利用光刻、PECVD、蒸镀等技术，制备减反膜以及主要成份为银的金属电极，再经划片清洗等工艺
高倍聚光光伏系统技术门槛较高且行业跨度大，涵盖半导体材料及工艺制造、半导体封装、光学设计制造、自动化控制、机械设计制造、金属加工等领域。

HCPV芯片的生产过程如下，首先利用MOCVD技术在4英寸锗衬底上外延砷化镓和铟镓磷形成3结电池片的材料，然后在外延片上利用光刻、PECVD、蒸镀等技术，制备减反膜以及主要成份为银的金属电极，再经划片清洗等工艺
高倍聚光光伏系统技术门槛较高且行业跨度大，涵盖半导体材料及工艺制造、半导体封装、光学设计制造、自动化控制、机械设计制造、金属加工等领域。

索比光伏网讯:6月初，中国科学院深圳先进技术研究院与香港中文大学合作，成功研发出了光电转换效率达17%的铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池，领先全国，比肩世界顶级水平。　　
CIGS电池以价格低廉的玻璃、塑胶、金属箔片作为基底，再镀上1/200毫米的多层薄膜材料组成，可在阴天及散射光下发电，适用于高楼林立的城市环境，比传统的晶体硅太阳能电池薄50倍，成本降低一半，被称为下一代非常有前途的新型薄膜太阳能电池

6月初，中国科学院深圳先进技术研究院与香港中文大学合作，成功研发出了光电转换效率达17%的铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池，领先全国，比肩世界顶级水平。
CIGS电池以价格低廉的玻璃、塑胶、金属箔片作为基底，再镀上1/200毫米的多层薄膜材料组成，可在阴天及散射光下发电，适用于高楼林立的城市环境，比传统的晶体硅太阳能电池薄50倍，成本降低一半，被称为下一代非常有前途的新型薄膜太阳能电池

如今，研究人员又迈出了一步，他们证明，量子点带有内置电荷，可以提高效率，使砷化铟/砷化镓（InAs / GaAs）量子点太阳能电池效率提高50％以上。
在他们的研究中，研究人员探讨了异质结构太阳能电池与砷化铟/砷化镓量子点。作为光伏材料，量子点可以利用红外辐射（infrared radiation），把它转化为电能。

这证明了传统的在金属箔上覆盖屏障涂层阻止有害杂质没有必要。根据这些研究结果，为了达18.7%的效率，科学家们改进了铜铟镓硒层的结构特性和专用的低温沉积来生成层。
柔性铜铟镓硒(CIGS) 太阳能电池目前还是一个新兴领域。但是，Ayodhya N. Tiwari领导的一个科学家小组经过多年努力，改善了材料的效率。

有技术人员介绍称，该太阳能集电管外形类似太阳能热水器所采用的集热管排列，其衬底可采用普通玻璃管或者使用有机物等柔性材料，钼金属作为背电极，铜铟镓硒作为主吸收层吸收光能，表面低阻层电极主要作用为透光、导电
目前，公司计划建设一期年产60MW铜铟镓硒薄膜太阳能集电管，二期实现年产500MW铜铟镓硒薄膜太阳能集电管生产规模目标。”

因此，它可能是一种很前途的替代材料，可替代铟锡氧化物（ITO：indium tin oxide），铟锡氧化物是目前标准的透明电极材料，石墨烯用作电极，可用于液晶显示器，太阳能电池，iPad和智能手机使用的触摸屏
100倍的迁移率，这是对比硅而言，石墨烯还具有卓越的强度，而且事实上，它几乎是透明的（2.3％的光可被吸收；97.7％的光可被传输），这些都使它成为理想的候选材料，可用于光伏领域，超薄透明石墨烯膜就可替代金属氧化物电极