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非晶硅薄膜沉积设备和 TCO 薄膜沉积设备主要依赖进口，清洗制绒设备、电极金属化设备等环节国产厂商开始进入。
太阳能电池等领域对金属纯度的要求一般为 99.995%(4N5);靶材的致密度会对溅射的沉积速率、溅射膜粒子的密度和放电现象以及薄膜的电学和光学性能有显著影响;靶材的成分、组织和晶粒度大小主要影响沉积薄膜的均匀性和质量的稳定性

在沉积 TCO 薄膜环节， RPD 工艺应用潜力巨大。PVD 工艺是当前沉积 TCO 薄膜的主流技术路线，在薄膜电池领域应用较为广泛，工艺比较成熟，成本相对较低。
国产 PECVD 现已进入异质结试验线的供应体系，在沉积本征和掺杂非晶硅薄膜环节，理想万里晖提供的 PECVD 设备在备受好评，迈为股份也不断精进其 PERCVD 设备;在沉积 TCO 薄膜环节，

同样的旋涂方法在叶绿素衍生物薄膜的上下层分别旋涂电子传输层和空穴传输层或其他有机活性层，最终在其顶层利用金属蒸发镀膜机沉积金属电极。由于整个制作过程对外部环境要求不严格，因此适于规模化生产。
王晓峰说，当初有机聚合物太阳能薄膜刚出来的时候效率只有1%。在经过长期的优化后，现已能达到15%~16%。

目前用的较多的是PVD工艺(物理化学气象沉积)，采用直流磁控溅射制备，其制备的一般是ITO薄膜，PVD带来了离子高轰击，损伤较大，ITO薄膜的电学性能差于IWO薄膜。
RPD(反应等离子体沉积)技术主要由日本住友重工掌握，其设备匹配自己生产IWO(氧化铟掺钨)靶材制备IWO透明导电薄膜，其采用蒸发镀膜对衬底轰击较小，IWO薄膜电学性能明显优于 PVD 制备的ITO薄膜

同时，背部采用优化的金属栅线电极，降低了串联电阻。通常前表面采用SiNx/SiOx双层薄膜，不仅具有减反效果，而且对绒面硅表面有很好的钝化效果。
如果背面Emitter/P+硅占的比例较大，带负电的薄膜如AlOx也是一个不错的选择。金属化接触和栅线 IBC电池的栅线都在背面，不需要考虑遮光，所以可以更加灵活地设计栅线，降低串联电阻。

加强单晶电池PERC技术、CdTe等化合物半导体薄膜电池技术、薄膜电池集成应用技术(BIPV)以及逆变器、智能组件等关键技术的创新，加强核心工艺设备的自主研制和生产。
发展大容量、抗台风、智能化风机整机以及轴承、叶片、齿轮箱等关键零部件和配套设备制造;发展高效薄膜电池、光伏逆变器、高性能平板集热器和高效晶硅电池、薄膜电池成套生产设备;加快推动氢燃料电池高性能电堆国产化

◇ HJT在N型单晶硅上结合低温薄膜工艺，制作工序少典型的制作工艺为如图2所示，整个工艺通常不超过200℃，硅片本身受热损伤和热型变影响小，可以使用更薄的硅片。
基于N型硅片的异质结电池(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer， HIT) ，结合了薄膜太阳能技术，理论效率达27%以上，是已知量产电池中相对效率最高的结构

光伏组件作为在其生命周期内连续暴露于户外的电气设备，在一些特殊的地理条件如盐碱地、沿海、重工业污染等具有强腐蚀性的潮湿大气地区，可能会导致光伏组件金属部件的腐蚀和聚合物材料的性能恶化，影响其安全性能及输出功率
实现全球市场准入，其范围覆盖亚洲、欧洲、非洲、大洋洲、北美洲、南美洲六大洲;光伏产品测试认证能力涵盖整个组件及光伏辅材零部件领域;光伏组件测试认证范围已涵盖传统单多晶硅组件、半片/叠瓦组件、N型/P型双面组件、薄膜组件和聚光组件等

从应用材料到正泰新奥等薄膜企业黯然退场，汉能光伏却在高点接盘了薄膜的故事今天也没有结束，至于金属硅和废硅回收再无提及。
薄膜路线的性价比凸显，应用材料等半导体公司纷纷推出turnkey生产线，正泰光伏新奥能源等企业大手笔买入。还有金属硅和废硅回收冶炼等非主流路线。