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时候可以快速断开与电网的连接。因此，太阳能逆变器的基本设计标准包括额定电压、容量、效率、电池能效、输出AC电源质量、最大功率点跟踪（MPPT）效能、通信特性和安全性。图1a：半桥逆变。图1b
母线电压以及每个半导体开关的额定电压。　　容量：它是太阳能逆变器额定功率的另一个说法。该数值在200W（面板集成模块）到数百千瓦之间。容量越大，逆变器的体积越大、价格越高。太阳能逆变器的成本以美元

难以覆盖地区居住的家庭个人出资购买光伏系统用于生活和生产用电（个人出资，不排除其中部分用户得到了政府或机构少量的补贴）。　　(b)国家为农村电力建设实现通电目标而进行的基础设施建设项目（国家投入、政府
建筑（光伏屋顶系统、光伏发电与遮阳系统集成、光伏幕墙系统）--示范为主；　　大规模的光伏电站(5MW、10MW）；　　风光互补发电分布式能源系统；　　值得关注的是：2008年的北京奥运会项目和2010

满足商业规模速度的工艺。同时激光器还可用于形成新型结构，如激光烧制接触（LFC），这种结构对于支持某些先进的薄硅片产品是必须的。　　为完全满足这些不同工艺，设备供应商们应集成平均功率大（高达
波长处可以吸收更多光，电流产生系统现在更加依赖工作在可见光（532 nm）或紫外（355 nm）波段的DPSS激光器4。硅对355 nm光波的吸收量比对红外（1064 nm）光波的吸收量大四到五个数

有限公司等。从这些公司公布的产品标准来看，跟国际标准(美国GE公司)相当。石英坩埚的主要指标包括三个方面：几何尺寸；纯度、杂质含量；外观。几何尺寸体现了精加工水平，由于单晶生产厂家的热场系统(主要是石墨
，国内坩埚厂家的标准与国际标准一致。但是，国内坩埚厂家主要列出了A1、Fe、Ca、Cu、K、Na、Li、B等8种杂质含量的指标，而GE标准除这8种元素外还列出了As、Cd、Cr、Mg、Mn、Ni、P、Sb

　　目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率
　　（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀　　（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统　　加工工艺：　　加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长　　（1