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在等离子体中不够稳定，因此目前ITO镀膜已非光伏电池主流的电极玻璃。　　SnO2镀膜也简称FTO，目前主要是用于生产建筑用Low-E玻璃。其导电性能比ITO略差，但具有成本相对较低，激光刻蚀容易
，光学性能适宜等优点。通过对普通Low-E的生产技术进行升级改进，制造出了导电性比普通Low-E好，并且带有雾度的产品。利用这一技术生产的TCO玻璃已经成为薄膜光伏电池的主流产品。　　氧化锌基薄膜的

的硅材料短缺日益严重，使得人们加紧了硅基薄膜太阳能电池的研发。人们的主要目标是提高效率，提高稳定性，降低制造成本，其基本技术是使用PECVD(等离子增强化学气相淀积)技术沉积非晶硅或微晶硅薄膜，衬底是
光学和电学特性，尤其难的是在大规模生产状态下能否很好地控制产品的重复性和一致性，这成为制约这种电池发展的关键所在。另一个问题是，由于该种电池的原材料In和Ga都属于稀有金属材料，地球含量较低，这就导致在

的不断扩大，以及由此造成的硅材料短缺日益严重，使得人们加紧了硅基薄膜太阳能电池的研发。人们的主要目标是提高效率，提高稳定性，降低制造成本，其基本技术是使用PECVD(等离子增强化学气相淀积)技术沉积
最好的光电效应，因此很难控制成膜后的光学和电学特性，尤其难的是在大规模生产状态下能否很好地控制产品的重复性和一致性，这成为制约这种电池发展的关键所在。另一个问题是，由于该种电池的原材料In和Ga都属于

，仅20μm厚的活性层的光学表现为40μm厚。　　利用基于氟的等离子处理，仅会去除极少量的硅（仅1,75μm），就可获得表现出朗伯折射的理想上表面。这对于外延薄膜硅太阳能电池极为重要，因为这种类型的
。但现在外延薄膜太阳能电池的主要缺点是它们的效率相对较低。已有两种技术表明能提高薄膜太阳能电池的效率。一是利用卤素原子等离子加工，优化上表面结构，另一种技术是在外延层/衬底界面处引入中间反射镜。优化的

马德里光学研究所的Javier Garcia de Abajo与法国及英国的同事证明，当局域化等离子共振发生在特别设计的金属表面时，此金属表面可呈现全方向光吸收的特性，并在金的纳米多孔性样本上证实此效应
许多应用如光学互连(optical interconnects)、发光光源以及微光学组件的屏敝等都需要效率更高的吸光材料，尤其是在各方向都有高吸收率的材料，不过这类材料并不容易制作。最近

，得出了集热管膜层的表面微粒结构、化合物成分和光学性能之间的关系。对四层金属－介质膜层进行优化设置，使不同金属含量膜层界面间产生最大消光干涉，膜层性能指标可以达到吸收比αs＝0．96、发射比εh
系统，等离子减反喷涂技术等，均是国内乃至国际领先的先进技术，使得产品牢牢把握了市场主动权。 “通过以上技术创新，使集热管生产效率大为提高，生产成本降低0．66元／支，竞争力显著增强，市场占有率提高至

±77.8%）。然而，短路电流（Jsc ）受限于薄的光学有源层（20mm）。穿透外延层的光会被高掺杂、低质量的衬底收集而损失掉。因此，这两种太阳能电池技术之间的短路电流相差7 mA/cm2并不少见。体硅
丝网印刷外延电池的Jsc达到30 mA/cm2，效率达到13.8%。　　对这些结果有贡献的第一项改进是采用氟基等离子体粗糙处理得到的表面光散射（图3）。理想情况下，这种经过粗糙处理的有源层表面会使光

主要因素是构成凝聚态的原子短程结构，即最近邻的原子配位情况。从1960年起，人们开始致力于制备a一Si和a一Ge薄膜材料。早先采用的方法主要是溅射法。同时有人系统地研究了这些薄膜的光学特性。1965年斯特
林等人第一次采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七

目前，制备多晶硅薄膜的工艺方法主要有以下几种：（１）化学气相乘积法（ＣＶＤ法）（２）等离子体增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ法）（３）液相外延法（ＬＰＥ）（４）等离子体溅射沉积法
领先水平。 等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法是利用ＰＥＣＶＤ技术在非硅衬底上制备晶粒较小的多晶硅薄膜的一种方法。该薄膜是一种Ｐ－Ｉ－Ｎ结构，主要特点是在Ｐ层和Ｎ层之间有一层较厚的多晶硅

具有纤锌矿结构，是直接带隙材料，带隙较宽，为2.42eV。实验证明，由于CdS层吸收的光谱损失不仅与CdS薄膜的厚度有关，还与薄膜形成的方式有关。 1.2 CdS薄膜光学性质 CdS薄膜
亲和势为4.58eV，与CdS的电子亲和势（4.50eV）相差很小（0.08eV），这使得它们形成的异质结没有导带尖峰，降低了光生载流子的势垒。 2.2 CulnSe2材料的光学性质

凝聚态的原子短程结构，即最近邻的原子配位情况。从1960年起，人们开始致力于制备a一Si和a一Ge薄膜材料。早先采用的方法主要是溅射法。同时有人系统地研究了这些薄膜的光学特性。1965年斯特林等人第一次
采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七i薄膜。开始