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坩埚厂家用这种高纯合成原料在坩埚内层烧结一层 lmm左右的透明层，从而既保证了坩埚内表面的纯度，又不致于使坩埚软化点过低。国产石英坩埚一般采用进口原料，石英坩埚亦能追溯到所用原料，并在坩埚质量文件中附有
的真空除气泡技术。余姚市通达电器电信有限公司引进日本坩埚生产技术，在坩埚内层用高纯合成原料烧结1.2mm的透明层，既解决了内层的纯度问题，又解决了国产坩埚高温软化塌陷问题。然而国产坩埚在生产高品质大直

Cu2S／CdS是一种廉价太阳电池，它具有成本低、制备工艺十分简单的优点。因此，在70-80年代曾引起国内外广大光伏科研者的广泛兴趣，以空前热情进行研究。在烧结体Cu2JCdS太阳电池研究的基础上，70年代
型材料，将源料放入一端封闭的石英管中，然后抽真空，当真空度到1． 33X10-3pa以上时，将石英管封闭，制成一个安瓶，放入烧结炉中，缓慢加热到D50C进行合成。源料要求具有单一黄铜矿结构，且为p型

步骤：①金属杂质的释放／扩散决定了吸杂温度的下限；②分凝模型控制了吸杂的最佳温度。另有学者提出，在磷扩散时硅的自间隙电流的产生是吸杂机制的基本因素。常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结
钝化技术，PECVDSiN膜既作为减反射膜，又作为体钝化措施，表面织构化采用反应性粒子刻边技术。背场则采用丝印铝奖烧结形成。电池前面栅线也采用丝印技术。15cmX15cm大面积多晶硅电池效率达17．1