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）提出诉讼，状告贺利斯与SolarWorld侵犯杜邦的前板银浆专利技术。这是杜邦第二次对贺利斯提出诉讼，杜邦声称贺利斯侵犯了其美国专利号为8，158，504 B2的技术。杜邦电子的David
输出功率担保。此次晶威公司与慕尼黑再保险公司的成功合作，是在晶威公司光伏产品顺利通过慕尼黑再保险公司一系列严格评估基础上得以达成的。慕尼黑再保险公司目前执行着行业内最为严格的验厂标准，有资料显示，截止

硅(Si:H)薄膜。衬底厚度是200m。淀积参数如下：衬底温度170℃；源气体：硅烷(SiH4)，氢 (H2)，二硼烷（B2H6）；SiH4流量1sccm；总气体压强10 mTorr；微波功率600W
。H2/SiH4流量比为50；B2H6/ SiH4流量比在1-5%之间变化。本研究中，p+掺杂层的薄膜厚度在玻璃衬底上用表面轮廓仪和椭偏光谱仪（SE）测量。对于所用的最高掺杂水平，淀积速率调整到24nm

达到更高电压，如上图。一旦A/B/C任一片电池片被遮住，该电池片就不再作为电源，而是变成负载消耗其他正常电池片产生的电能。而此时，由于该组的电池片出现反偏，则二极管导通，电流将沿二极管继续形成回路
直接影响电池组件的输出功率。新型模块的特性：图3 新型模块工作原理该方案利用低压大电流开关电源中次级整流的原理，利用HB-Drive,输出一宽度随电流大小变化而变化的方波，来驱动模块内置MOS的栅极，以

超大规模集成电路的开发应用会来一次历史性的飞跃，带给我们的好处是最高档的PC机可以制做得很轻、很薄、很小巧。太阳能电池的外表面向阳的一面是富空穴的P型半导体，紧贴下面的就是富电子的N型半导体。在太阳光子的激发
太阳能电池测试条件是：阳光普照度为1000W/m2,大气质量AM=1.5，环境温度25℃。参照上图，A段区域的大气质量AM=1，那么AM1.5应在B段区域或C段区域。1、开路电压Voc、短路电流Isc

以降低电池内部串联电阻，减少光生电流的内部功率损耗，有效提高光伏电池的光电转换效率。二、材料信息1.银微粒的含量：金属银的微粒是导电银浆的主要成份。金属银在浆料中的含量直接与导电性能有关。从某种意义上讲
，银的含量高，对提高它的导电性是有益的，但当它的含量超过临界体积浓度时，其导电性能并不能提高，一般含银量在80-90%（重量比）时，导电量已达到最高值，当含量继续增加，电性不再提高，电阻值呈上升趋势

反馈来看，一线电池片厂商可做出平均18.1%和最高18.5%的效率，使得光伏组件功率可以满足260W和最高265W正公差。与此同时，在原有的多晶铸锭炉上进行改造相对于购买新铸锭炉来说又节省了大量
这款G6将不再会有A、B、C区之分(也有的厂家根据单晶面积分为L、M、H)，而是全面C区(单晶面积100%)，完美的解决了原有单多晶混合外观颜色不一致的问题并大幅提高电池片效率。新G6技术的

。非晶硅的原料是晶硅太阳能电池生产中西门子法生产多晶硅之前的硅烷气体，通过在硅烷（SiH4）中掺杂乙硼烷（B2H6）和磷化氢（PH3）等气体，在低成本基板上（玻璃、不锈钢）低温成膜，避开了成本最高和技术
）薄很多。换句话说，非晶硅薄膜太阳能电池的总效能要比晶硅太阳能电池高很多。对于同样功率的太阳电池阵列，非晶硅太阳电池比单晶硅、多晶硅电池发电要多约10%，而且非晶硅太阳电池的能源回收期仅1-1.5年

中也超过95%。其次，G6技术能大幅减少位错增殖，使效率分布更为集中，根据电池片客户的数据反馈来看，一线电池片厂商可做出平均18.1%和最高18.5%的效率，使得光伏组件功率可以满足260W和最高
全面推广。早在今年2月，凤凰光伏就完成了G6准单晶硅片技术的研发并申请了专利。与之前的G5技术相比，凤凰光伏的这款G6将不再会有A、B、C区之分(也有的厂家根据单晶面积分为L、M、H)，而是全面C区(单晶

索比光伏网讯:单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构，其光伏电池效率明显高于多晶硅电池。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能光伏电池的效率，比如：(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致
单晶电池的早期光致衰减；(b)内部金属杂质和晶体缺陷（位错等）的存在会成为少数载流子的复合中心，影响其少子寿命，导致电池性能的下降。一、少子寿命对光伏电池性能的影响少子寿命是指半导体材料在外界注入（光

以太网供电标准的电气隔离规定，而且已取得多个产品安全方面的认证，不但适用于信息科技设备（ITE）以及各种非直接接触病人和并非对病人健康起关键作用的医疗设备，而且也适用于许多不同的低功率电子设备
。 LPS109-M电源采用极小巧纤薄的开放式机架设计，大小仅 2 x 4 英吋（50.8 x 101.6mm），高度则只有1.29英吋（33mm），而且满载时效率可达88%（典型值），功率密度更

灯。2、电路设计2.1主控电路单片机采用ATMEL公司的AT89S52，它内部集成256B程序运行空间，8KBFLASH存储空间，支持最大64KB外部存储扩展，时钟频率可以设置在0~33MHz之间，片
基于2.4GHz双向无线传输模块JF24C.该模块以较小的体积实现了告诉数据传输功能，速率最高可达1Mb/s，并具有快速跳频，向前纠错，CRC等功能。通过控器的信号，将信息通过电磁波的形式发射出去，临近

控股有限公司盛装出席2012Asiasolar亚洲太阳能光伏工业展会。保利协鑫展位号：1B02展会现场保利协鑫展出高效多晶硅片鑫多晶。据保利协鑫销售人员向世纪新能源网介绍鑫多晶硅片效率达到17.6
组件可达285W以上同时展出类单晶产品鑫单晶，据了解，鑫单晶转换效率接近传统直拉硅单晶，最高测得18.5%。同时鑫单晶光衰率远优于直拉硅单晶，平均低1个百分点以上。鑫单晶另一显著特点是其低成本。其生

的填装方式如附图2a、2b所示，掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50～2.0.cm。装料后抽真空，控制功率进行加热;进入熔化阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度
晶粒(50mm)面积大于50%，单晶籽晶小方锭制备获得的准单晶硅片的形貌图如附图4a、4b所示。对比三种籽晶块对应的长晶效果：单晶籽晶处延续单晶生长，至10cm以上出现少量分裂晶粒，大晶粒延续至硅锭

寻找其替代品。功率达12万太瓦的太阳便进入了人们的视线。理论上，只要收集1小时的太阳能，就可满足人类全年的能源需求。为了有效地收集太阳能，人们尝试了各种方法，比如开发大面积、高效、低成本的太阳能电池
转化效率和能量的有效储存是两个绕不开的大难题。晶硅电池的光电转换效率理论上最高可达32%，目前产业化水平在14%-18%之间。但居高不下的制造成本，大大限制了其使用范围。目前晶硅电池的理论使用寿命是20年