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在真空熔炼过后，还要经过一个降温稳定，就进入定向凝固阶段。这个过程既是多晶硅的晶体生长过程，也能够对回收料和冶金法多晶硅料中含有的杂质进行进一步的提纯。 (一) 定向凝固与分凝现象硅液中的
工艺流程中完成了。这也是普罗的提纯铸锭炉的重要提纯手段。由于含有杂质的硅料和高纯料的结晶和熔液的性质都不太一样，因此，提纯铸锭炉所采用的热场与纯粹铸锭炉的热场是有区别的。普罗新能源公司目前采用自己

晶体生长炉、光伏电站的天龙光电正式登陆深交所创业板。彼时，公司实现营业收入2.9亿元，实现净利润0.68亿元，同比增长16.17%。到2011年，天龙光电宣布，其实现营业收入8.42亿元，同比
是各项费用较高。其中预计1~9月份非经常性损益对净利润的影响金额为1325.78万元。这是天龙光电连续第2年亏损，但7年前公司的经营可谓是另一番景象。2009年12月，主营单晶硅生长炉、研磨机、蓝宝石

质量违约之诉是否能得到支持？案情简介：某光伏制造企业向某科研院所购买了一批光学晶体生长炉，因该设备并未在业界广泛推广使用，双方约定了由光伏制造企业先行使用，再根据使用效果决定是否购买的条件。后某科研院所
了光学晶体生长炉，买方履行了部分货款支付义务，双方以实际履行行为变更了原合同中所附生效条件）②超过双方约定的检验期间，合同一方（某光伏制造企业）提出晶体炉存在质量瑕疵问题不予支持。风险提示：在光伏项目

常损益金额约为1262万元，主要是土地收储收益。江苏华盛天龙光电设备股份有限公司成立于2001年12月，注册资本15000万元，是一家专业光伏设备研发生产企业，主要产品为多晶硅浇铸炉、单晶硅生长炉、单晶硅切断机、单晶硅切方滚磨机及其他各类晶体生长设备。其中部分产品市场占有率达到80%。

多晶硅，此外还包括对现有冷氢化反应流化床(FBR)系统和多晶硅还原炉CVD的升级改造。GT的冷氢化系统升级可提高TCS原产量达25%以上。GT最新的CVD还原炉升级技术可以减少电力消耗最高达25%。这些
，拥有创新的晶体生长设备和众多的解决方案，其涵盖全球太阳能，LED，电子等行业。我们的产品加速新型先进材料的应用，致力于提高性能及降低制造成本。有关GT Advanced Technologies的更多信息，请浏览 www.gtat.com。

，随着多晶硅价格反弹以及光伏产业再度高速发展，通威股份也将乘着行业风口起飞。同样，多晶硅价格的反弹，也将刺激其他相关产业链公司，比如主营晶体生长炉的晶盛机电，去年其全年单晶炉销售162台，同比
增长43.36%，多晶炉79台，同比增长103.85%，晶体硅设备共实现收入3.98亿元，同比增长97.90%。得益于今年光伏产业继续复苏，公司相关产品销售预期依旧向好，享受行业增长带来的企业红利。

索比光伏网讯:晶体生长设备供应商GT Advanced Technologies(GTAT)凭借推出一个新产品，将重新进入铸锭炉市场进行多晶硅锭生产。GTAT最近退出第十一章破产，尽管2012年时是
市场领导者，但是由于该行业长期产能过剩大幅降低了未来销售潜力，该公司曾在2012年十二月宣布退出铸锭炉市场。然而，最近几年，GTAT不定期从其库存出售铸锭炉和部件。该公司表示，其将在五月晚些时候于

数据【单晶VS多晶】一、材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学
多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6的投料量在800kg左右，已逐步接近规模与成本兼顾的临界值

对比数据【单晶VS多晶】一、材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与
有绝对优势。二、铸锭与拉晶成本对比单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6的

，就必须将微晶状态的硅制成晶体硅，而晶体硅的晶向需要精确控制。单晶电池和多晶电池在制程上唯一无法轻易互换的就是晶体生长环节。在这个环节，原生多晶硅在单晶炉内会生产成单一晶向、无晶界、位错缺陷和杂质密度极低的
现有很大差异。目前的单晶电池以P型为主，这种电池在日照2-3周后会发生2%~3%的快速功率衰减，原因是晶体生长中使用硼作为掺杂剂，同时有较多的氧原子混杂，替位硼和间隙氧在光照下激发形成较深能级缺陷，引起

晶状态的硅制成晶体硅，而晶体硅的晶向需要精确控制。单晶电池和多晶电池在制程上唯一无法轻易互换的就是晶体生长环节。在这个环节，原生多晶硅在单晶炉内会生产成单一晶向、无晶界、位错缺陷和杂质密度极低的单晶硅棒
差异。目前的单晶电池以P型为主，这种电池在日照2-3周后会发生2%~3%的快速功率衰减，原因是晶体生长中使用硼作为掺杂剂，同时有较多的氧原子混杂，替位硼和间隙氧在光照下激发形成较深能级缺陷，引起载流子复合

晶状态的硅制成晶体硅，而晶体硅的晶向需要精确控制。单晶电池和多晶电池在制程上唯一无法轻易互换的就是晶体生长环节。在这个环节，原生多晶硅在单晶炉内会生产成单一晶向、无晶界、位错缺陷和杂质密度极低的
在这两类衰减上表现有很大差异。目前的单晶电池以P型为主，这种电池在日照2-3周后会发生2%~3%的快速功率衰减，原因是晶体生长中使用硼作为掺杂剂，同时有较多的氧原子混杂，替位硼和间隙氧在光照下激发

、国家电投、华能、华电、中广核、大唐、招商新能源、特变电工、中兴能源、北控、中建材、林洋能源等国内主要电站投资商，都对单晶组件抛出了大单。据了解，此次银川3吉瓦项目共拟购置768台单晶炉和144台切片机及
配套生产设备设施，以形成年产3吉瓦单晶硅棒、3吉瓦单晶硅片的产能。与此同时，钟宝申给出了单晶产品十三五技术路线图。在晶体生长、切片方面，单晶硅片加工在接下来的5年里还有30%的成本下降空间。在太阳能电池组件方面，随着新技术的引入，到十三五末，单晶电池效率将有望达到23%左右。钟宝申说。