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单位基本情况表》、项目资金申请报告及相关附件，并将上述材料胶装成册，编辑目录，标注页码（纸质文本一式9份，加盖单位公章，同时以光盘形式附电子文本一式2份）报送至我委收文窗口（市民中心B区一楼行政服务大厅
智能电网相关领域。太阳能。重点发展薄膜太阳能电池、高效晶体硅太阳能电池及组件、新型太阳能电池、太阳能并网发电、太阳能玻璃、太阳能光热利用、太阳能光伏建筑一体化（BIPV）及太阳能-LED光电产品等

领域。太阳能。重点发展薄膜太阳能电池、高效晶体硅太阳能电池及组件、新型太阳能电池、太阳能并网发电、太阳能玻璃、太阳能光热利用、太阳能光伏建筑一体化（BIPV）及太阳能-LED光电产品等。核能。重点
装备及其他生物燃料等。储能电站。重点发展储能材料、储能装备、储能电站建设及应用（技术）等。新能源汽车。重点发展混合动力汽车、纯电动汽车、动力电池及关键零部件等。页岩气。重点发展页岩气资源勘探、开采技术及

索比光伏网讯:以石墨烯为代表的二维材料具有优良的电学性能和光学性能，因此被期待可用来发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件、晶体管和光电器件。将石墨烯堆叠起来可以得到多层石墨烯。除了具有和体石墨相同
解释实验观察到的转角多层石墨烯的层间呼吸模频率，并拟合得到多层石墨烯的次近邻层间呼吸耦合为最近邻的9%。这是在范德瓦尔斯二维晶体材料中第一次观察到这种次近邻的层间呼吸耦合。该研究成果表明，可通过观察层间

一片光伏组件的边框都需要可靠接地，正极和负极和地之间将存在一定大小的绝缘电阻和寄生电容，图2-1为光伏电池带寄生电容和绝缘电阻的电路模型，绝缘电阻值的大小反映了光伏组件的绝缘性能，且该值和材料及封装
结构、天气条件、湿度、覆盖于光伏阵列表面的尘埃等等。当组串并联得越多，寄生电容越大，绝缘阻抗却正好相反，晶体硅光伏电池的寄生电容一般约为50-150nF/kW，有的PID修复系统会使用寄生电容作为

？ 27. 分布式光伏发电项目如何备案，应准备哪些材料？ 28. 哪些情况可能出现备案失败或者失效？ 29. 备案过的项目还能够申请变更么？怎么变更？ 30. 个人（家庭）安装分布式光伏
第一批太阳电池 3. 光伏电池是怎么发电的？答：光伏电池是一种具有光‐电转换特性的半导体器件，它直接将太阳辐射能转换成直流电，是光伏发电的最基本单元。光伏电池特有的电特性是借助于在晶体硅中掺入

片钢线砂浆 1 引言切片工序是制备太阳能硅片的一道重要工序，太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒，同时工作台位置缓慢下降，由于碳化硅的硬度大于多晶硅（晶体硅的莫氏硬度
补偿，以保证硅片厚度均匀。 b.切割前未设好零点。正确设置零点的方法是（以HCT机床为例）：将晶棒装载入机床后，手动降工作台使四条晶棒的导向条刚刚接触线网并点击触摸屏主界面设零点按钮，然后慢速

光伏器件第 2 部分：标准太阳电池的要求GB/T 6495.3-1996 光伏器件第 3 部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据GB/T 6495.4-1996 晶体硅光伏器件的 I-V
GB/T 9535-1998 地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型GB/T 11010-1989 光谱标准太阳电池GB/T 13539.6-2013 低压熔断器第 6 部分：太阳能光伏系统保护用熔断

晶硅太阳能电池封装方式导电背板高效组件 1 引言目前主流的晶体硅太阳能电池和组件技术早在上个世纪90年代已经基本成熟，性能和转化效率的提高主要依赖于材料的改进和工艺细节的优化，进一步提高的
路忠林，李质磊，盛雯婷，张凤鸣南京日托光伏科技有限公司摘要：为进一步大幅提高晶体硅太阳能电池和组件的性能，电池结构和封装方式的创新必不可少，而MWT背接触技术是其中最有代表性的一种适合

/T6495.3-1996 光伏器件第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据 GB/T6495.4-1996 晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法 GB
/T6495.8-2002 光伏器件第8部分：光伏器件光谱响应的测量 GB/T6495.9-2006 光伏器件第9部分：太阳模拟器性能要求 GB/T9535-1998 地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和

光伏电池组件，包括光伏电池组件及其辅助材料等，包括但不限于设计、制造、运输及储存、安装指导、调试试验及检查、竣工、试运行、消缺、考核验收、技术和售后服务、人员培训等，同时也包括所有材料、备品备件、专用工具
型式试验报告（或认证证书）； 3.6 投标产品主要组部件或材料如需外购时，投标人须提供该外购组部件或材料的检验报告或认证证书； 3.7 投标人应具备三年以上生产经验，自2012年1月1日至

光伏发电技术由此诞生并发展起来。3.光伏电池是怎么发电的？答：光伏电池是一种具有光‐电转换特性的半导体器件，它直接将太阳辐射能转换成直流电，是光伏发电的最基本单元。光伏电池特有的电特性是借助于在晶体硅中
掺入某些元素（例如：磷或硼等），从而在材料的分子电荷里造成永久的不平衡，形成具有特殊电性能的半导体材料。在阳光照射下，具有特殊电性能的半导体内可以产生自由电荷，这些自由电荷定向移动并积累，从而在其两端

第一代光伏技术指晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。第二代太阳能指花式品种繁多的薄膜电池，主要有： 1）非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜， 2）CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜
， 3）TeCd碲化镉薄膜， 4）一个新发展是CZS3（Sn,Se,S）即由铜锌二价元素和六价元素硒和硫还有四价元素锡组成的薄膜，优点是材料成本低廉，而且比较丰富。 5）新出现的一个品种是

第一代光伏技术指晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。第二代太阳能指花式品种繁多的薄膜电池，主要有：1）非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜，2）CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜，3）TeCd碲化镉薄膜，4
）一个新发展是CZS3（Sn,Se,S）即由铜锌二价元素和六价元素硒和硫还有四价元素锡组成的薄膜，优点是材料成本低廉，而且比较丰富。5）新出现的一个品种是，GaAs砷化镓薄膜电池，据报导，其转化率已高达

工序是制备太阳能硅片的一道重要工序，太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒，同时工作台位置缓慢下降，由于碳化硅的硬度大于多晶硅（晶体硅的莫氏硬度为6.5，碳化硅的莫氏硬度为9.5），依靠
槽距。此外由于在切割过程中，钢线会磨损，钢线直径变小，且端口由圆形变为椭圆形，因此导轮槽距需要根据线损情况进行补偿，以保证硅片厚度均匀。b.切割前未设好零点。正确设置零点的方法是（以HCT机床为例

，半导体设备和材料协会（SEMI）向BIS申请，表示中国存在有各向异性等离子干蚀刻设备，这类型的设备在美国ECCN出口管制制度中编号为3B001.c。它用在双重用途的半导体设备制造过程，例如闪存
ECCN编号为3B001.c。BIS将表明，中国有和美国ECCN3B001.c性能相当的刻蚀设备技术能力，因此，基于这项编码的美国国家安全出口管制将失效。这一禁令已经持续20多年，取消这条禁令十分必要

现象发生的主要原因是P型（掺硼）晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变P型掺杂剂，用稼代替硼能有效的减小光致衰减；或者对电池片进行预光照处理，是电池的初始光致衰减发生在组件制造之前，光伏组件的
中出现的极缓慢的功率下降，产生的主要原因与电池缓慢衰减有关，也与封装材料的性能退化有关。其中紫外光的照射时导致组件主材性能退化的主要原因。紫外线的长期照射，使得EVA及背板（TPE结构）发生老化黄变现