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的模式，通过增加电池片的主栅数来起到降低内部损耗，增加组件功率的效果;通过升级的圆丝焊带，有效对斜射光进行二次反射，大幅提升IAM。在众多的栅线数目选择中，晶科通过多次试验，结果如图2所示，组件功率
在采用了新型的多主栅和叠焊组件技术的同时，保持了传统的半片设计，降低组件内部电流和电学损耗，具备高功率和高可靠特性，较常规整片电池组件正面功率提升达15Wp。且户外热斑风险更低。如下图所示，户外正常

摊薄成本。非硅成本包括长晶过程中设备、电力、人工、特气的耗费，以及切片过程中金刚线线材损耗等其他成本。单晶市占率上升，与多晶价差扩大。根据智研咨询，2018年国内单晶硅片产量占
电费为重要降本点。对比长晶环节成本占比，单晶硅片比多晶硅片高出约21%，单晶硅片降本仍存空间，主要是通过以下几种途径：1)改进拉棒技术提高单炉产出，采用连续拉棒技术摊薄损耗和设备折旧;2)将产线建在

微网，减少损耗，实现能量转换效率95%以上。苏国勇介绍，0+小屋安装了正在推广的新一代智能电表，家中每个电器的实时能耗、用电分析都可以通过手机随时查看，为用户提供用能管家式服务。此外，为了进一步降低
建筑的能量损耗，0+小屋采用了被动房的节能技术和材料，阻断内外热交换，使建筑能耗水平较国家标准降低85%以上。同时设立绿色氧吧，结合新风系统，将新鲜空气送达建筑内部，创造舒适环境。

的各种损耗，在不超配的情况下(组件功率：逆变器额定功率=1:1)，逆变器输出功率仅为额定功率的85-90%，若进一步考虑交流侧损耗，则系统效率仅75-85%，推高LCOE。为提高系统
效率，以往光伏电站容配比主流1.1-1.15，其设计思路为补偿超配：弥补客观存在的各类损耗，使逆变器最大输出功率能够达到额定功率(一般在光照条件最好的正午时段满载)，提高逆变器等设备的利用率

主要与以下三点有关：电池串联引起的电流失配、串联电阻损耗和光学损耗。同等条件下电池间距的变化对组件串阻有多大影响?我们设计实验：使用相同电池，常规0.27x1.0mm普通焊带(铜基材厚度0.22
组件功率损耗以上数据可以看出，0mm片间距与3mm片间距相比，组件内阻仅相差3.31m，换算成功率仅增加0.17W。而拉大片间距所带来的功率增益要比这大得多，而且工艺更加简单，焊接破片率更低。因此

重要平台，实质是智能电网+特高压电网+清洁能源，智能电网是基础，特高压电网是关键，清洁能源是根本。特高压技术是我国原创、完全具有自主知识产权的重大技术创新，破解了远距离、大容量、低损耗输电难题。我国已