为您找到 "反射型技术"相关结果约1000+ 个
最新
隆基&新南威尔士:缓解TOPCon太阳能电池的污染诱导表面降解:机理、影响与缓解策略来源:晶硅太阳能电池技术 发布时间:2025-04-18 11:00:31

1、研究背景1.1 TOPCon 太阳能电池的发展及挑战隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳能电池已成为高效晶硅光伏技术的主流选择。相较于传统的PERC(钝化发射极和背接触)电池,TOPCon
,成为工业生产的主导技术。1.2 TOPCon 太阳能电池的环境稳定性问题虽然TOPCon 电池具有良好的电性能,但其长期可靠性仍面临挑战: 湿热(DH)环境:85°C / 85% RH 长期暴露会加

BC二代技术实现三大技术爆破 光伏进入“全局最优解”竞争时代来源:隆基绿能 发布时间:2025-04-14 15:30:21

睿硅片,电阻集中率优化50%,创新应用纳米级全域钝化技术,有效提升转换效率;亚微米绒面叠加多层减反膜,降低反射提升效率,配合OBB技术,构建起“效率-可靠性-功率”的黄金三角。现场工程师演示的数据看板

晶科TOPCon组件供货ACME,为阿曼487.5 MW沙漠绿氢项目独家供能来源:晶科能源 发布时间:2025-04-10 09:08:49

行业领先、具备更高单瓦发电量、全天候更优发电性能及更高综合发电增益的N型TOPCon技术组件,通过突破性的度电成本(LCOE)优势,树立全球绿氢经济性新标杆。在阿曼年均日照2300小时、环境温度超50℃的
展现出高水准表现。尤其在沙漠沙地高反射率的天然优势下,85%的高双面率可显著提升组件背面光电转化效率,较常规双面组件额外释放3%-5%的发电增益。尤其以三重技术突破奠定绿氢成本优势:1、单瓦发电量提升

晶科TOPCon组件斩获沙特1.75GW光伏荒漠项目来源:晶科能源 发布时间:2025-04-08 15:38:29

里程碑式大型项目。晶科能源凭借领先的高效N型TOPCon技术方案,在广袤沙漠中打造“光伏治沙”标杆工程。该项目的成功签署,不仅彰显了晶科能源在中东地区乃至全球光伏市场的影响力,也充分展现了中国企业以技术创新推动全球

华晟出席2025光伏市场发展论坛,发布N型组件多场景发电性能对比成果来源:华晟新能源 发布时间:2025-03-28 10:26:26

,华晟新能源受邀参会,公司产品开发管理中心负责人田介花现场分享《N型组件多场景发电性能对比研究报告:HJT & TOPCon vs BC》,以详实数据与创新洞见,为行业技术发展与市场应用提供了重要参考
。2024年,中国光伏行业在装机规模再创新高的同时,也面临上游制造业竞争加剧、下游电力消纳压力攀升的双重挑战。华晟新能源拥有20GW的异质结年产能,占异质结领域50%以上。通过持续聚焦N型高效异质结技术

央国企组件分类集采,隐藏着哪些大智慧?来源:索比光伏网 发布时间:2025-03-26 18:29:21

投标,而不是将所有n型组件混在一个标段拼价格。如此一来,不仅更多、更高效电池组件技术有了“用武之地”,对相关企业而言也更加公平合理,更有利于推动新技术和产品大规模应用,得到了众多光伏从业者的认同。从中

格局重塑!电力市场化背景下,未来五年的答案有了!来源:投稿 发布时间:2025-03-25 08:34:56

发电量1.98%、降低度电成本 1.24%。而当升级至i-TOPCon Ultra技术,天合光能至尊N型组件更是展现出显著性能优势:根据测算,在青海格尔木沙戈荒项目中(地表反射率25%-30

重构电站设计及投资收益逻辑,天合光能重磅发布大基地解决方案!来源:天合光能 发布时间:2025-03-21 15:43:20

i-TOPCon Ultra技术,天合光能至尊N型组件比TBC组件双面率高10-15%,在青海格尔木、地表反射率为25-30%的沙戈荒项目地测算,得益于高双面率和低辐照优势,在固定支架系统下,i-TOPCon

观点:BC只是局部工艺改变,综合价值无优势来源:投稿 发布时间:2025-03-19 16:19:04

最近光伏行业热点话题不断,一是各家企业开展的”发电量比拼“,二是关于陕西领跑者24.2%正面效率”指标定制化“的讨论,三就是异质结龙头企业华晟新能源创始人徐晓华在朋友圈直言”BC伪先进“:BC技术
谈正面效率,不谈综合效率;牺牲实际发电能力,拉低客户电站投资回报;工艺复杂,制造成本高,以先进技术的名义把制造成本转嫁给客户……徐晓华的观点,很好地给出了此番BC引发业界论战的原因,笔者亦深以为然

沐邦高科连获两项光伏技术专利来源:沐邦高科 发布时间:2025-03-18 10:15:06

实用新型公开了一种N型高效电池及电池组件,N型高效电池包括N型硅基底以及依次设在N型硅基底正面的正面遂穿层、掺杂晶硅层以及正面减反射功能层,掺杂晶硅层至少包括在远离N型硅基底的正面方向上依次设置的第一掺杂