光伏咨询搜索-索比光伏网

优化氮化硅覆盖层，将抛光深度从1~2m提高到3~4m，并将发射极薄层电阻从约78+/-3ohms/sq提高到95+/-5ohms/sq，得到了21.1%的最佳PERC电池效率。理想能源表示，其客户
组件在人工草皮场景下实测每瓦发电量比单面PERC双玻组件高5.5%。此外，在模拟高反射率地表场景中发电量比单面PERC组件可提升25%。在隆基乐叶的PERC路线图中，单晶PERC电池实验室效率稍高于

的差别：干法黑硅属于单面制备，湿法为两面制备；前者受设备参数影响较大，后者受硅片质量及工艺条件影响较大。黑硅技术可以将制绒后反射率做的很低，但是需要平衡载流子复合及钝化才能能实现效率的有效提升。行业
可实现量产效率突破20%，60片规格组件功率可以达到285W，可以满足领跑者认证计划的效率目标。根据界面态缺陷导致的载流子复合，我们认为湿法黑硅在硅片背面抛光，例如通过刻蚀深度及少子寿命优化，然后

生产设备拥有组件化集群，所占面积较少，并能同时完成两块基板的单面涂层。新一代的TENUIS设备在高效CIS/CIGS薄膜电池的生产成本方面也拥有很大的优势。新一代的TENUIS设备在高效CIS/CIGS薄膜电池
氧化铝（AlOx）和氮化硅（SiNx）涂层的工艺是在不间断的真空环境下完成的。SINGULAR XP设备的结构紧凑，非常适合引入现有的电池生产线进行升级。在进行背面涂层之前，电池要先在LINEA II抛光

生产设备拥有组件化集群，所占面积较少，并能同时完成两块基板的单面涂层。新一代的TENUIS设备在高效CIS/CIGS薄膜电池的生产成本方面也拥有很大的优势。新一代的TENUIS设备在高效CIS/CIGS薄膜电池
氮化硅（SiNx）涂层的工艺是在不间断的真空环境下完成的。SINGULAR XP设备的结构紧凑，非常适合引入现有的电池生产线进行升级。在进行背面涂层之前，电池要先在LINEA II抛光设备中进行湿法