为您找到 "单晶硅电池<b>组件"相关结果约119+ 个
最新
全球首届n型单晶硅双面发电光伏组件与电站设计创意大赛来源:索比光伏网 发布时间:2016-06-29 14:53:30

。 n型电池弱光条件下光谱响应好,电池背面漫发射的弱光也能贡献一大部分电量,在不同的合适的应用装机环境下发电量可提高10%-30%,如下计算表: b. 应用组件技术参数 1) 新组件

杜邦光伏解决方案将盛大参与2016 SNEC 展示创新材料技术与行业见解来源:世纪新能源网 发布时间:2016-05-22 23:59:59

帮助客户提高效率、电力输出及投资回报率。全球规模最大的光伏电站运营商国家电力投资集团旗下子公司西安太阳能公司采用杜邦最新的正银导电浆料Solamet PV19B实现了20.13%的单晶硅电池转换效率
。此外,亿晶光电科技股份有限公司是首批供应PERC高效组件的制造商之一,也采用专为PERC电池技术设计的杜邦 Solamet 整体导电浆料方案,包括由Solamet PV76x正面银浆、PV56x专用背银

晶科能源20.5%以上效率多晶电池量产技术路线来源:索比光伏网 发布时间:2016-05-04 09:21:41

电阻损耗、减小载流子复合几个方面着手。 (1)减小入射光反射率:又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液
对侧墙进行钝化处理,形成绒面结构,如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。 图2A. 单晶电池金字塔绒面图 2B. RIE制备的多晶电池绒面 减反射膜利用光的干涉相消原理,减小入射光的反射。从

干货:20.5%以上效率多晶电池量产技术路线来源:SOLARZOOM 发布时间:2016-04-29 13:34:34

载流子复合几个方面着手。 (1)减小入射光反射率:又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液,利用腐蚀液
钝化处理,形成绒面结构,如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。 减反射膜利用光的干涉相消原理,减小入射光的反射。从最开始的单层膜,已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的

20.5%以上效率多晶电池量产技术路线来源:晶科能源 发布时间:2016-04-28 10:03:48

方面着手。(1)减小入射光反射率:又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液,利用腐蚀液对各个晶面腐蚀速率
结构,如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理,减小入射光的反射。从最开始的单层膜,已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同,管式PECVD通常采用

2016我国光伏产业预计全年新增20GW以上来源:中国工业报 发布时间:2016-04-27 08:52:19

转换效率将超过18.5%,单晶硅电池有望达到20%,主流组件产品功率将达到265~270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产,单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步
16.2万吨,同比增长19.1%,在产16家多晶硅企业绝大多数处于满产状态,即使如此,进口量仍超过10万吨。全球太阳能光伏组件产量约为60GW,同比增长15.4%,我国太阳能组件产量约为43GW,同比

2016我国光伏产业仍将保持增长 预计全年新增20GW以上来源:中国工业报 发布时间:2016-04-26 23:59:59

%,单晶硅电池有望达到20%,主流组件产品功率将达到265~270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产,单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步,金刚线切割技术将得到进一步应用,PERC

解析:单晶多晶组件CTM差异分析来源:光伏新闻 发布时间:2016-03-30 09:35:22

本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素,重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件,对于硼氧复合损失可以想办法改善

【干货】单晶多晶组件CTM差异分析来源: 发布时间:2016-03-30 09:09:59

OFwek太阳能光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素,重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件,对于硼

多晶组件的CTM损失少于单晶组件的成因分析来源:世纪新能源网 发布时间:2016-03-29 23:59:59

索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素,重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件,对于硼氧复合损失