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设备由两台单晶炉发展到100台，已引进8台线切割机，产品由拉制硅锭延伸到切片，自主研发的切片技术已占据国内制高点。　　扛旗“百亿光伏”　　身为市人大常委的谭文华当然不会忘记自己的社会职责，在十三届四次
那些还没有得到妥善安置的职工，必须继续带领他们创业。他提出一个新的目标：三年再造一个新华石英集团！靠什么造？他看准了单晶硅。当年研制设备生产的坩埚就是生产单晶硅的专用装置。　　日本金属再生株式会社董事长

家公司，主要设备由两台单晶炉发展到100台，已引进8台线切割机，产品由拉制硅锭延伸到切片，自主研发的切片技术已占据国内制高点。　　扛旗“百亿光伏”　　身为市人大常委的谭文华当然不会忘记自己的社会职责，在
，他离不开那些还没有得到妥善安置的职工，必须继续带领他们创业。他提出一个新的目标：三年再造一个新华石英集团！靠什么造？他看准了单晶硅。当年研制设备生产的坩埚就是生产单晶硅的专用装置。　　日本金属再生

上市，分别登陆纽约证券交易所和伦敦证券交易所创业板，受到国际投资者的热捧。　　先进的技术水平和强大的自主创新能力，成为无锡光伏产业称雄市场的核心竞争力。尚德生产的单晶硅和多晶硅太阳能电池的平均
产品集成化”等高端关键性技术。　　在尚德电力为核心的龙头企业的带动下，我市已形成包括多晶硅材料生产、硅棒拉制、硅片切片、太阳能电池及组件封装、光伏发电系统应用等在内的太阳能光伏产业链，尚德电力和惠联高

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料
，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面

国产设备支撑以降低生产成本，千吨级生产设备亟待取得突破并大量提供。　　2.大尺寸硅片加工设备　　国内目前的125mm×125mm规格硅片大多采用6英寸单晶炉拉制单晶生产，为满足156mm
× 156mm电池片生产的需要，就必须改用8英寸单晶炉，但其生产成本将远高于多晶铸锭法生产的硅片，是电池企业无法接受的。因此，光伏用156mm×156mm硅片将转向多晶硅片，改用多晶硅铸锭炉生产，将拉动

棘手的问题。为了抑制熔体的热对VrL以降低熔硅与石英柑祸的反应速率，并使氧可控，从而生长出高质量的单晶，采用Mcz法是行之有效的。二、原理众所周知，用CZ法拉制单晶时会
一、引言近年来，半导体硅工艺中，出现了一种令人注目的新工艺—外加磁场直拉(MCZ)法〔l〕。它给硅材料工业带来一大变革。半导体工业所用的硅单晶，几乎90%是用

样机达到了较高的技术水平，已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施，课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台，达到了积累经验、获取成果、培养队伍的目的。不过,据行业
近日，国家863计划项目超大规模集成电路配套材料重大专项中的TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）项目在北京正式通过科技部的验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸

薄膜电池的研究开发成为近几年的热点。另一方面，采用薄片硅技术，避开拉制单晶硅或浇铸多晶硅、切片的昂贵工艺和材料浪费的缺点，达到降低成本的目的。严格说，后者不属于薄膜电他技术，只能算作薄片化硅
Si球表面上原位沉积出Si。此法沉积出的Si粉未颗粒只有十分之几毫米，可用作CZ直拉单晶的投炉料或直接制造Si带。 拉制单晶有CZ法（柑祸拉制）和区熔法两种。CZ法因使用石英柑蜗而不可避免地引入

和样机达到了较高的技术水平，已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施，课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台，达到了积累经验、获取成果、培养队伍的目的。　　验收会上，专家们认为该成果的
近日，国家863计划项目超大规模集成电路配套材料重大专项中的TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）项目在北京正式通过科技部的验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸

国2005年的比例是6.7：1。主要原因是国内单晶硅拉制技术比较成熟，设备已经国产化，价格低廉（数十万人民币一台）。而多晶体硅浇铸炉依赖进口，价格昂贵。3、太阳电池生产：技术接近国际水平在国际市场需求旺盛的
涨价影响了国内企业的发展，很多企业开工不足；技术比较成熟，产品质量不逊于国外；发展迅速，近几年的平均增长率超过70%；单晶硅材料的生产占主导，世界2005年单晶硅与多晶硅的比例是1：1.8，而我