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镀银背电极热蒸发铝形成点接触结构，最后前面沉积ZnS／MgF，双层减反射薄。2006年赵建华等申请了带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳电池专利，并加入国家863项目能源领域光伏行业重大课题。如今已获
、B.Hoex等人采用PERL结构，基片采用1cmN型FZ硅片，表面制备倒金字塔陷光结构，正面扩散硼形成P发射结，然后在其上用Al3O3作为钝化层，上面沉积SiNx减反射膜。背面采用SiO2钝化层，再在背

下实现重磷扩散，背电极的点接触处实现重硼扩散。前电极采用电镀工艺镀银背电极热蒸发铝形成点接触结构，最后前面沉积ZnS／MgF，双层减反射薄。2006年赵建华等申请了带有正面钝化N型扩散层的N型硅
结构采用160gmN型硅片，首先正面制备金字塔结构，然后扩散磷形成N+前表面场（FSF），最后用SiO2钝化表面再镀SiNx减射膜，背面通过扩散阻挡层实现硼和磷的扩散，形成P 发射结和N+背表面场。电极

,从而使开路电压得以提高。在前表面的钝化层下又进行了浅磷扩散以形成n+前表面场,提高短波响应。背面电极与硅片之间通过SiO2钝化层中的接触孔实现了点接触,减少了金属电极与硅片的接触面积,进一步降低
通过PECVD沉积双层SiNx薄膜,以起到减反射和表面钝化作用。电池背面利用局部激光烧蚀技术,烧蚀成高低不同、呈叉指状交叉排列的两片区域。这种台阶结构成为RISE电池最大的结构特点。背面经磷扩散后

复合均低的优势），衬底减薄到约100m，以进一步减小体内复合。这种电池的转换效率在AM1．5下为22.3％。　　（3）德国Fraunhofer太阳能研究所的深结局部背场电池（LBSF
经由腐蚀得到理想的绒面结、构，因而对其表面进行各种处理以达减反射的作用也为近期研究目标，其中采用多刀砂轮进行表面刻槽，对10cmX10cm面积硅片的工序时间可降到30秒，具有了一定的实用潜力

的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内复合均低的优势），衬底减薄到约100m，以进一步减小体内复合
硅片的工序时间可降到30秒，具有了一定的实用潜力。多孔硅作为多晶硅太阳电池的减反射膜具有实用意义，其减反射的作用已能与双重减反射膜相比，所得多晶硅电池的效率也能达到13。4％。我国北京有色金属研究总院及

μm扩散区，5μm接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内复合均低的优势），衬底减薄到约100μm，以进一步减小体内复合。这种电他的转换效率在AM1．5
，其中采用多刀砂轮进行表面刻槽，对10cmX10cm面积硅片的工序时间可降到30秒，具有了一定的实用潜力。多孔硅作为多晶硅太阳电他的减反射膜具有实用意义，其减反射的作用已能与双重减反射膜相比