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，对于N 型发射区的非平衡载流子具有很强的吸引力，使得少数载流子发生复合作用，从而减少电流。因此需要使用一些原子或分子将这些表面的悬挂键饱和。实验发现，含氢的SiNx膜对于硅表面具有很强的钝化
作用，减少了表面不饱和的悬挂键，减少了表面能级。　　综合来看，SiNx膜被制备在硅的表面起到两个最用，其一是减少表面对可见光的反射；其二，表面钝化作用。　　二 PECVD技术的分类　　用来制备

转换效率。并网逆变器采用最大功率跟踪技术，最大限度地把光伏电池转换的电能送入电网。 2 太阳能光伏电池板：太阳能电池主要使用单晶硅为材料。用单晶硅做成类似二极管中的P-N结。工作
系统中使用的控制器类型很多，如2点式控制器，多路顺序控制器、智能控制器、大功率跟踪充电控制器等，我国目前使用的大都是简单设计的控制器，智能型控制器仅用于通信系统和较大型的光伏电站。蓄电池：蓄电池是光伏发电

是光伏太阳能电池用硅晶体和化合物半导体材料；其二是LED发光管用蓝宝石衬底外延GaN(氮化镓)等。叶祖超告诉记者，太阳能电池用单晶重点解决大直径高寿命N型中阻单晶，寿命达毫秒量级，直径8英寸；现普遍
采用的P型(100)单晶，要解决B-O络合物对电池转换效率衰退的原理，单晶要解决大直径低氧工艺；明确原料中三、五族杂质补偿度对太阳能电池质量的影响定量关系。在LED领域首要解决晶体生长工艺和量产及外延工艺。

一. 硅片的化学清洗工艺原理　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：　　A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。　　B
可被去除。晶片表面的自然氧化膜不会再生长。3. Al、Fe、Ni等金属同DHF清洗一样，不会附着在晶片表面。4. 对n+、P+ 型硅表面的腐蚀速度比n、p 型硅表面大得多，可导致表面粗糙，因而不适合

　　单晶硅棒品质规格：单晶硅棒的主要技术参数型号 P型或A型晶向 111100 电阻率
）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。　　（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定

正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n
型导电反型层。对效率产生决定性影响的是在介电层中使用了银。该电池优点是工艺简单，但反型层的薄层电阻太高。（6）MINP电池——可以把这种电池看作是M1S电池和p一n结的结合，其中氧化层对表面和

SiHCl3，在硅芯发热体上沉积硅的工艺技术，并于1957年建厂进行工业规模生产，这就是通常所说的西门子法。 8dN eG-q~5_l 随后，西门子工艺的改进主要集中在减少单位
多晶硅产品的原料、辅料、电能消耗以及降低成本等方面，于是出现了改良西门子法。光伏太阳能论坛 Photovoltaik Solar Forum5RA#bUBn1w(t }l