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上集成PERC技术存在诸多困难，其中包括光致衰减(LID)以及光致高温致衰减(LeTID)等效应。根据UNSW和一些其他研究机构的报道，多晶硅PERC 目前存在两种衰减模式:1)快速衰减模式，发
LeTID效应让这项技术备受关注。 CSI通过结合硅锭材料控制、电池工艺优化、先进的在线控制技术，实现了LID可控多晶硅PERC电池和组件的大规模生产，到2017年底产能超过了1GW，并将

最高效率第三方测试得到的最高值和理论极限已经很接近了，新结构电池量产突破需要的成本投入将是指数式提升。另外，PERC电池的衰减问题随着效率的提升也更加突出，虽然通过光、电注入可以缓解B-O对导致的
、武汉帝尔等。 PERC电池的光衰，之前一直是困扰电池生产厂家和客户的问题，但通过业内的不断研究和突破，目前找到了两种方式来控制光衰达到了可接受范围。其一是降低或避免B-O对的出现，如使用掺镓

研究认为，单晶PERC电池的衰减高于单晶BSF电池，其原因主要是由于B-O对导致的，目前已经通过光照退火成功抑制。多晶PERC电池的衰减表现为与温度相关的LeTID，其原因仍不明朗，但是似乎与多晶硅中
%。位于无锡的该公司单晶量产平均效率为21%，多晶量产的平均测试数据为19.7%。台湾的太极能源科技达到的最佳PERC电池效率为21.4%，平均效率为21.1%。 MeyerBurger称其客户获得的

晶体硅电池更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减。而多晶
衰减解决方案。我国的光伏企业也相继推出了针对单多晶PERC电池的抑制衰减的工艺和设备。研究认为使用低温浆料，采用吸杂、高温退火及激光快速退火等手段可以抑制衰减。导致衰减的因素仍在研究中，除常规B-O对

原因主要是由于B-O对导致的，目前已经通过光照退火成功抑制。多晶PERC电池的衰减表现的与温度相关，其原因仍不明朗，但是似乎与多晶硅中过多的金属离子有关。目前已经找到抑制LeTID的途径，包括高温、高
相较其他晶体硅电池更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减