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PM318B00光伏组件、多款环保光伏产品，以及针对十二五政策所提出的低碳园区规划服务，友达将透过全球最高效率的垂直整合一体化太阳能价值链，为客户提供低碳、先进及高质量的全方位的绿能解决服务方案。　　友达光电是
全球领先的低碳液晶显示器企业，并自2008年起积极布局太阳能事业，与日本硅片大厂M.Setek及美国太阳能电池大厂SunPower合作，打造出全球最高效能的垂直整合一体化太阳能价值链，包括多晶硅原料

PM318B00光伏组件、多款环保光伏产品，以及针对十二五政策所提出的”低碳园区规划”服务，友达将透过全球最高效率的垂直整合一体化太阳能价值链，为客户提供低碳、先进及高质量的全方位的绿能解决服务方案。友达光电是
全球领先的低碳液晶显示器企业，并自2008年起积极布局太阳能事业，与日本硅片大厂M.Setek及美国太阳能电池大厂SunPower合作，打造出全球最高效能的垂直整合一体化太阳能价值链，包括多晶硅原料

的创新能力。杜邦公司电子和通信技术部副总裁David B. Miller在2009年3月中旬召开的第七届全球清洁技术会议上表示，光伏技术现处于发展中的幼年时期，这一市场的发展机遇之路是宽阔的。杜邦公司
共聚物）薄膜，不仅使太阳能电池的生产更为方便和快捷，也大大提高了太阳能电池的发电效率。在生产太阳能电池时，一般是将硅片置于玻璃和用EVA薄膜包覆的基材之间，然后将它们一起放在真空层合机内在145℃下交联

解决方案。新型SOLARIS涂层系统的现场演示（B6/26展位）突出表明，该系统在光伏产业的受欢迎程度越来越高。　　欧瑞康系统事业部负责人Andreas Dill补充说，“目前在全球有大量客户对
清洁能源应用，而且该系统功耗低、尺寸小，能够确保长时间正常运行，这几方面的特点使之成为光伏生产的理想解决方案。　　有助于提高太阳能电池的质量和效率　　太阳能的生产成本不仅依赖于电池效率，也与

年4月1日14:30-18：30 〖展示内容〗太阳能光伏产品：晶体硅电池及组件、薄膜电池及组件；光伏生产设备：硅棒/硅锭生产设备、硅片/晶圆生产设备、电池片/组件生产设备、薄膜组件生产设备
、清洗设备、扩散设备、蚀刻设备、覆膜设备（PECVD）、丝网印刷、测试分选设备、其他炉设备等；原料：硅料、硅片、硅棒/硅锭、封装玻璃、封装薄膜及其他原料；相关零部件：蓄电池、充电器

）： A、光伏生产设备：硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线，铸锭炉，坩埚，生长炉，其他相关设备硅片晶圆生产设备：全套生产线，切割设备，清洗设备，检测设备，其他相关
B、光伏电池：光伏电池生产商，电池组件生产商，电池组件安装商 C、光伏相关零部件：蓄电池，充电器，控制器，转换器，记录仪，逆变器，监视器，支架系统，追踪系统

回落，硅料供应充分，浇铸多晶硅片将占越来越大的比重，尺寸有可能超过200mm，厚度降到160μm甚至更薄，到时多晶硅电池的平均效率可以达到17%～17.5%。单条生产线的生产规模将
万元，以2008年8月的硅片和电池片的价格来计算，每条生产线产值约6.5亿元。进入2008年11月硅片价格掉到原来价格的一半，随着国际市场光伏组件价格的下跌，电池价格跌到原来的60

硅片晶圆生产设备：全套生产线，切割设备，清洗设备，检测设备，其他相关设备电池生产设备：全套生产线，蚀刻设备，清洗设备，扩散炉，覆膜设备/沉积炉，丝网印刷
电池，铜铟镓二硒电池CIS/CIGS, 镉碲薄膜电池CdTe, 染料敏化电池DSSC 生产技术及研究设备 B、光伏电池：光伏电池

　　信息产业的快速发展，特别是光伏产业的迅速发展，将进一步刺激多晶硅、单晶硅等基础材料需求量的不断增长。预计未来几年小尺寸硅单晶的年产量仍在2500吨左右，同时8英寸、12英寸硅片产量也将有
的不断增长。业内专家表示，虽然国际市场对4英寸、5英寸、6英寸硅片的需求在下降，但中国的生产还会持续多年，预计未来几年小尺寸硅单晶的年产量仍在2500吨左右，同时8英寸、12英寸硅片产量也将有

有限公司等。从这些公司公布的产品标准来看，跟国际标准(美国GE公司)相当。石英坩埚的主要指标包括三个方面：几何尺寸；纯度、杂质含量；外观。几何尺寸体现了精加工水平，由于单晶生产厂家的热场系统(主要是石墨
坩埚)相对固定，因此石英坩埚的几何尺寸有统一要求。由于GE坩埚进入市场较早，所以我国产品几何尺寸一般沿用了GE的标准。纯度、杂质含量标准，采用了石英砂原料生产厂家的标准，由于国产坩埚都采用了进口原料

的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。　　目前国内主要采用CZ法　　CZ法
，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。　　（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须

凝固法中有一种称为热交换法（HEM），在柑祸底部通入气体冷源来形成温度梯度。浇铸法是将熔化后的硅液从增祸中倒入另一模具中凝固以形成晶锭，铸出硅锭呈方形，切成的硅片一般尺寸为10cmXl0cm，平均晶粒
1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电他的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41”角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集效率，对低