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一种可以严格控制和识别这些因素而不会得出错误数据的方法。因此，我们会将样品制备作为分析技术的一部分来阐述。首先想到的测量原材料最简单的方法是将硅料转换为可以测试电阻率、少子寿命和FTIR的形式
纯载流子浓度、少子寿命可以得出杂质的间接测量结果，FTIR可以得出间隙氧和替位碳的浓度，低温FTIR和PL可以得出B、P、Al的浓度，但是我们必须考虑到贯穿区熔硅锭的杂质分凝系数（SEMI MF

2008年9月11日：瑞士的PASAN公司开新闻发布会，推出了该公司最新研制的太阳能辐射模拟系统。这个新设备的名称为HIGHLIGHT系统分3a，3b和MMT。这个可以测量高负载。电流最大可以达到
设置3种不同的辐射强度，可以测量IEC标准的电池板前电阻。产品价格分别为3a 太阳能辐射模拟系统63.000欧元。3c太阳能辐射模拟系统为82.000欧元，3b太阳能辐射模拟系统为99.000欧元，MMT太阳能辐射模拟系统为95.000欧元。以上价格不含税。

主要考面取向密度根据客户要求　　其中电阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量单晶硅棒等级的关键参数。这些参数在单晶成型后即定型，无法在此后的加工中进行改变。　　测试方法
取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。　　切断的设备：内园切割机或外园切割机　　切断用主要进口材料：刀片　　外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大