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膜略低于PVF。但经过QUV200KWH老化实验后S膜：317L，PVF：291L，耐磨性远好于PVF。薄膜的磨损的发生主要有三个步骤： A、与沙子接触接触的高分子材料发生形变，这与高分子的
结晶度相关; B、沙子与膜面相对运动的摩擦力; C、与沙子接触的膜面高分子链发生断裂，取决于材料本身的韧性和强度。 D、最后膜被磨损和转移到沙子上高分子的结晶度越高，分子间作用力

、温度和时间等参数对p-n结特性的影响) 离子注入法磷扩散，简化工艺，提升效率前表面采用Al2O3/SiN钝化工艺，减少载流子复合最新一代的二次印刷工艺，提升Voc，Isc和FF B
。 n型电池弱光条件下光谱响应好，电池背面漫发射的弱光也能贡献一大部分电量，在不同的合适的应用装机环境下发电量可提高10%-30%，如下计算表： b. 应用组件技术参数 1) 新组件技术

综合能源管理系统。融合了电力电子技术、嵌入式系统、现场通信技术、数据库技术、Web技术、移动技术、SCADA技术、大数据处理技术、C/S及B/S技术等一体化的数据采集、监控、管理方案；实现了对太阳能
，优化云端和移动终端的操作体验，SEMS开发出一键注册和一键配置功能，使监控操作步骤简化到极致；用户可以根据项目需要，SEMS通信方式可灵活切换，目前提供的通信方式包含Wifi，GPRS，LAN，RF和

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/m2时，相同光伏组件串之间的电流偏差不应大于5%。 4光伏组件串电缆温度应无超常温等异常情况。 5光伏组件串测试完成后，应按照本规范附录B的格式填写记录。 6.2.3逆变器投人运行前，宜将接人
此逆变单元内的所有汇流箱测试完成。 6.2.4逆变器在投入运行后，汇流箱内组串的投、退顺序应符合下列要求： 1汇流箱的总开关具备灭弧功能时，其投、退应按下列步骤执行： 1)先投人光伏组件串小开

光伏组件串测试完成后，应按照本规范附录B的格式填写记录。6.2.3逆变器投人运行前，宜将接人此逆变单元内的所有汇流箱测试完成。6.2.4逆变器在投入运行后，汇流箱内组串的投、退顺序应符合下列要求：1汇流箱的
总开关具备灭弧功能时，其投、退应按下列步骤执行：1)先投人光伏组件串小开关或熔断器，后投人汇流箱总开关。2)先退出汇流箱总开关，后退出光伏组件串小开关或熔断器。2汇流箱总输出采用熔断器，分支回路

对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。图2A. 单晶电池金字塔绒面图 2B. RIE制备的多晶电池绒面减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从
5B. 选择性发射极电池对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷

钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的
正面扩散层表面。除了提供钝化效果，该氧化层还具有一定的抗PID效果。低温氧化工艺使得增加该工艺步骤所需的成本较低。在PERC结构化阶段，高效电池先经过背面AlOx/SiN叠层薄膜沉积，再进行正面SiNx

结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用
先进制绒过程。为增强前表面的钝化效果，一低温氧化的薄层SiOx薄膜被引入到正面扩散层表面。除了提供钝化效果，该氧化层还具有一定的抗PID效果。低温氧化工艺使得增加该工艺步骤所需的成本较低。在PERC

、减反膜寄生吸收、长波段不完美光陷阱、自由载流子吸收的影响等，如图3所示。图3 IBC电池单层膜(a,c)及多层膜(b,d)的光学损失分布图在电学方面，和常规电池相比，IBC电池的性能受前
电池的金属化之前一般要涉及到打开接触孔/线的步骤。另外，N和P的接触孔区需要与各自的扩散区对准，否则会造成电池漏电失效。与形成交替相间的扩散区的方法相同，可以通过丝网印刷刻蚀浆料、湿法刻蚀或者激光等

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本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善
，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。 1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括： A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。 B.电阻损耗，电池片本身的

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单多晶组件CTM不同的内在原因。　　1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带

索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失
组件CTM不同的内在原因。1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的

我们就不能单纯的把光伏发电看成是：组件逆变器并网发电简单的这么一个步骤，我们要细化每一个环节的产品选择，这样才能够获得最大的投资收益。笔者通过对一些项目的了解，以及多年的从业经验，下面就对光伏系统中最为核心
行业一般对于A、B级(也有C级等其它更低等级)组件的划分不是依据组件的电性参数而是根据电池片的外观以及组件整个的封装外观来区别的。Ⅰ、电池片外观不良：色斑、色差、铝刺、鼓包、断栅、结点、图形偏移、缺角

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