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综合
2010第11届中国太阳能光伏会议暨展览会
来源:索比光伏
发布时间:2010-04-09 09:22:14
关 于 举 办2010第11届中国太阳能光伏会议暨展览会 各光伏界同仁: 为了贯彻实施中国政府颁布的《可再生能源法》,落实国务院节能减排战略部署,促进光伏产业
技术
进步和规模化
光伏网(http://www.solar-pv.cn) 四、会议内容: 此次会议将交流我国太阳能光伏研究与应用的新进展,展示光伏新
技术
、新产品、新材料。会议将围绕如下9个专题展开学术交流:(1)基础研究
太阳能
光伏要闻
关于举办2010第11届中国太阳能光伏会议暨展览会
来源:索比光伏
发布时间:2010-03-05 14:07:47
各光伏界同仁: 为了贯彻实施中国政府颁布的《可再生能源法》,落实国务院节能减排战略部署,促进光伏产业
技术
进步和规模化发展,遵循全球能源发展规律,应对金融危机影响;如何使我国新兴光伏产业,尽快
会议将交流我国太阳能光伏研究与应用的新进展,展示光伏新
技术
、新产品、新材料。会议将围绕如下9个专题展开学术交流:(1)基础研究、新器件(含染料敏化电池)、新材料及新概念太阳电池;(2)晶体硅电池及材料
光伏产业协会
太阳能光伏
展会
AsiaSolar 2010(第五届)亚洲太阳能光伏工业展览会
来源:索比光伏
发布时间:2009-06-23 09:57:11
全国太阳光伏能源系统标准化
技术
委员会 中国电子科技集团公司第十八研究所 中国国际贸易促进委员会上海浦东分会 协办单位 欧洲光伏工业协会(EPIA) 美国太阳能光伏工业协会
: 2010第五届亚洲光伏工业论坛 主题:光伏系统及工程
技术
在中国 时间:2010年3月30日-4月1日 地点:上海扬子江大酒店(☆☆☆☆☆) 展会前期活动: 2009第四届中国
展会
AsiaSolar
用于晶体硅太阳电池生产的PECVD
技术
进展
来源:索比光伏
发布时间:2009-06-15 14:52:15
太阳电池要求
双面
镀膜,正面镀氮化硅,背面镀二氧化硅和氮化硅,这种情况下,灵活的微波间接法就有较大的优势。另一些
技术
要求在制备出氮化硅薄膜后还进行湿法光化学金属镀膜工艺,这对氮化硅膜的密度和质量要求高了
作用,减少了表面不饱和的悬挂键,减少了表面能级。 综合来看,SiNx膜被制备在硅的表面起到两个最用,其一是减少表面对可见光的反射;其二,表面钝化作用。 二 PECVD
技术
的分类 用来制备
太阳能
产业
光伏组件生产设备
硅片行业术语查询中英对照
来源:索比光伏
发布时间:2007-12-21 14:24:30
一. 硅片的化学清洗工艺原理 硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类: A. 有机杂质沾污: 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗
技术
来去除。
B
技术
。⑶ 美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗
技术
(例Goldfinger Mach2清洗系统)。⑷ 美国SSEC公司的
双面
檫洗
技术
(例M3304 DSS清洗系统)。 ⑸ 日本提出无
太阳能
光伏科技
太阳能基本知识
来源:索比光伏
发布时间:2007-07-02 23:00:33
方面提出了
双面
电池的构想并获得了成功,真正做到了高效长寿命和低成本。 GaAs太阳电池 随着空间科学和
技术
的发展,对空间电源提出了更高的要求。80年代初期,前苏联、美国、英国、意大利等国开始研究
研究,取得了如太阳选择性涂层和硅太阳电池等
技术
上的重大突破。平板集热器有了很大的发展,
技术
上逐渐成熟。太阳能吸收式空调的研究取得进展,建成一批实验性太阳房。对难度较大的斯特林发动机和塔式太阳能热发电
技术
光伏 太阳能 能源
光伏科技
(二)单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-10 14:46:18
单晶硅棒品质规格: 单晶硅棒的主要
技术
参数 型号 P型或A型 晶向 111100 电阻率
抛光片的物理性能参数同硅单晶
技术
参数 厚度(T) 200-1200um 总厚度变化(TTV) <10um 弯曲度(BOW) <35um
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