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为您找到 “<b>单晶硅<b>拉晶”相关结果56 个
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综合
阿特斯王栩生:单多晶市场份额最终由市场决定
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-22 23:59:59
,B5机台改造难题也已经突破量产在即,改造成本为买专机的十分之一,金善明自信的说。随着金刚线在多晶硅片领域的规模推广,切片端单晶成本优势不再。单晶和多晶的差异仅在长晶端。阿特斯技术总监王栩生的报告显示
,单晶拉棒的单位硅锭耗电约为75KWh/Kg,单炉月产能约3吨,而多晶铸锭的单位耗电约为12KWh/Kg,单炉月产能约9吨。长晶环节差异是单晶、多晶产品成本差异的主要因素,而且拉棒工艺特征决定很难再降
阿特斯
王栩生
单多晶市场
光伏PERC电池的过去、现在和未来
来源:索比光伏
发布时间:2017-07-29 09:14:59
越来越重视电池表面的钝化。随着钝化质量的不断改进,硅片体内的复合缺陷的影响将愈加明显,硅片质量对电池效率的影响也就愈大。无论
单晶硅
还是多晶硅,未来不断改善
拉
晶
/铸锭工艺,提高硅片质量,制造出高质量
单晶硅
片及
PERC电池
太阳能
光伏发电
PERC电池的过去、现在和未来
来源:索比光伏
发布时间:2017-07-28 16:14:51
愈加明显,硅片质量对电池效率的影响也就愈大。无论
单晶硅
还是多晶硅,未来不断改善
拉
晶
/铸锭工艺,提高硅片质量,制造出高质量
单晶硅
片及高质量多晶硅片,将是PERC及其他高效电池的发展方向。3)青海、大同
PERC太阳能电池
单晶PERC
太阳能利用工要知道的太阳能利用发展史概述
来源:索比光伏
发布时间:2017-07-18 23:59:59
:a、提纯过程 b、拉棒过程 c、切片过程 d、制电池过程 e、封装过程。太阳能电池的应用上世纪60年代,科学家们就已经将太阳电池应用于空间技术通信卫星供电,上世纪末,在人类不断自我反省的过程中,对于
推广和应用。【太阳能电池】太阳能电池发电原理太阳能电池是一对光有响应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种,如:
单晶硅
,多晶硅,非晶硅,砷化镓,硒铟铜等。它们的发电原理基本相同,现以
太阳能利用工
太阳能电站
太阳能
太阳能利用工要知道的太阳能利用发展史
来源:索比光伏
发布时间:2017-05-19 23:59:59
。生产过程大致可分为五个步骤:a、提纯过程 b、拉棒过程 c、切片过程 d、制电池过程 e、封装过程。太阳能电池的应用上世纪60年代,科学家们就已经将太阳电池应用于空间技术通信卫星供电,上世纪末,在人类不断
,因此,影响了广泛地推广和应用。【太阳能电池】太阳能电池发电原理太阳能电池是一对光有响应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种,如:
单晶硅
,多晶硅,非晶硅,砷化镓,硒铟铜等。它们的
太阳能利用工
太阳能电站
太阳能
太阳能光伏一周热点:隆基泰和成雄安新区背后的“大地主” 施正荣欲卷土重来?
来源:索比光伏
发布时间:2017-04-08 10:27:59
,收购能够“大幅改善其单晶锭生产的
拉
晶
效率和质素”,如果这一技术能够量化为产能,那么保利协鑫
单晶硅
生产的成本优势就能显现。而做为业务主力的多晶硅片也通过全面导入金刚线切大幅度降低成本,再次拉开市场上普通P
光伏发电
光伏产业
光伏要闻
【盘点】看看十一月光伏界的那些政策
来源:索比光伏
发布时间:2016-12-01 01:10:59
23000吨(约4.6吉瓦)、
单晶硅
产能到达20000吨(约5吉瓦)、多晶铸锭达到20000吨(约4吉瓦),切片、电池、组件等中间环节产品以及逆变器等配套产品产能均达到2吉瓦的规模,光伏、光热产业累计
完成投资450亿元(其中:光伏产业420亿元),实现产值600亿元(其中:光伏产业490亿元)。到2025年,多晶硅产能达到30000吨(约6吉瓦)、
单晶硅
产能到达40000吨(约10吉瓦)、多晶铸锭
光伏政策
光伏发电
光伏行业
盘点:看看十一月光伏界的那些政策
来源:索比光伏
发布时间:2016-11-30 16:13:52
电力投资有限公司2万千瓦光伏发电项目) 安达市亿晶新能源发电有限公司(安达市青肯泡乡20MWP光伏地面电站A项目) 安达市亿晶新能源发电有限公司(安达市青肯泡乡20MWP光伏地面电站B项目) 讷河
光伏扶贫
分布式政策
光伏补贴
单晶硅
与多晶硅电池衰减特性研究
来源:索比光伏
发布时间:2016-10-13 23:59:59
B-O复合体存在抑制作用。这也是导致多晶硅电池衰减低于
单晶硅
电池的原因之一如图2所示。另外,影响LID的因素还有分凝系数,O在硅中的分凝系数为1.25,对于CZ-Si来说,
拉
晶
过程中头部先凝固,因此
光伏要闻
【干货】
单晶硅
与多晶硅电池衰减特性研究
来源:索比光伏
发布时间:2016-10-13 15:52:02
LID的主要因素之一,LID值跟B浓度成正比,与O浓度平方成正比;所以说,多晶硅O含量偏低是导致多晶硅电池衰减偏低的主要原因(如图1所示)。 其次是碳含量,碳的分凝系数以及
拉
晶
和铸锭过程中的热场分布的
单晶硅
多晶硅
光伏电池
光伏技术
拓日新能青海20MW并网光伏电站光伏支架、一次设备、二次设备采购项目招标公告
来源:索比光伏
发布时间:2016-09-13 09:53:41
五大产业基地,拥有全球最完整、从石到电的非晶硅光伏电池产业链,拥有包含
拉
晶
切片在内的、较为完整的晶体硅光 伏产业链。拓日新能产品通过了德国TUV、美国ITS、瑞士SGS、香港STC四大国际认证公司的
热水器系统,建设及运营光伏电站。 拓日新能拥有光伏行业最全面的技术,是国内最早依靠自主研发同时生产非晶硅、
单晶硅
、多晶硅光伏电池芯片的企业。目前拥有深圳光明、四 川乐山、陕西渭南、新疆喀什、青海西宁
光伏发电项目
拓日新能光伏招标
拓日新能青海30MW并网光伏电站光伏支架、一次设备、二次设备采购项目招标公告
来源:索比光伏
发布时间:2016-09-13 09:20:15
,拥有全球最完整、从石到电的非晶硅光伏电池产业链,拥有包含
拉
晶
切片在内的、较为完整的晶体硅光 伏产业链。拓日新能产品通过了德国TUV、美国ITS、瑞士SGS、香港STC四大国际认证公司的产品
及运营光伏电站。 拓日新能拥有光伏行业最全面的技术,是国内最早依靠自主研发同时生产非晶硅、
单晶硅
、多晶硅光伏电池芯片的企业。目前拥有深圳光明、四 川乐山、陕西渭南、新疆喀什、青海西宁五大产业基地
光伏发电项目
拓日新能光伏招标
解析:单晶多晶组件CTM差异分析
来源:索比光伏
发布时间:2016-03-30 09:35:22
LID光衰情况。 减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法,A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控
拉
晶
工艺或着区熔单晶工艺,减少氧含量的引入,提高
单晶硅
棒的品质。C.由掺硼改为掺镓,避免硼氧复合的出现
单晶硅
多晶硅
组件CTM
光伏技术
【干货】单晶多晶组件CTM差异分析
来源:索比光伏
发布时间:2016-03-30 09:09:59
多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控
拉
晶
工艺或着区熔单晶工艺,减少氧含量的引入,提高
单晶硅
棒的品质。C.由掺硼改为掺镓,避免硼氧复合的出现。 4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素,重点分析了
单晶多晶
多晶组件
CTM
多晶组件的CTM损失少于单晶组件的成因分析
来源:索比光伏
发布时间:2016-03-29 23:59:59
损失要低于单晶。要改善单晶CTM可以想办法减少单晶产品的LID光衰情况。减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法,A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控
拉
晶
工艺或着区熔单晶工艺,减少氧含量的引入,提高
光伏要闻
【深度】2016最新单晶VS多晶对比分析
来源:索比光伏
发布时间:2016-03-21 08:37:59
电站长期衰减比多晶硅低至少3%以上,
单晶硅
电站投资回报率(IRR)比多晶电站至少高2.78%。综上所述,单多晶材料性能对比,单晶VS多晶,行业公认单晶有绝对优势。二、铸锭与
拉
晶
成本对比单晶拉棒与
单晶VS多晶
光伏组件
单晶VS多晶对比:单晶稳步提升市场份额
来源:索比光伏
发布时间:2016-03-18 15:20:48
对比数据 【单晶VS多晶】 一、 材料性能对比 单多晶的晶体生长工艺不同,
单晶硅
的晶面取向相同、无晶界,品质优异,而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布,晶格缺陷增多,导致
单晶硅
片与
太阳能电池
单晶硅
多晶硅
产业
光伏电池组件
多晶组件
单晶or多晶:晶硅光伏市场谁笑到最后?
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-17 09:00:10
份额对比数据 单晶VS多晶 一、材料性能对比 单多晶的晶体生长工艺不同,
单晶硅
的晶面取向相同、无晶界,品质优异,而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布,晶格缺陷增多,导致
单晶硅
片与多晶硅片
晶硅市场
单晶硅
多晶硅
产业
单晶or多晶:晶硅光伏市场 谁笑到最后?
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-17 00:05:59
晶硅低至少3%以上,
单晶硅
电站投资回报率(IRR)比多晶电站至少高2.78%。综上所述,单多晶材料性能对比,单晶VS多晶,行业公认单晶有绝对优势。二、铸锭与
拉
晶
成本对比单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备
单晶硅
多晶硅
光伏材料
晶硅市场
光伏要闻
技术进步推进单晶电池扩大市场份额
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-16 16:49:17
公布的单多晶份额对比数据 【单晶VS多晶】 一、 材料性能对比 单多晶的晶体生长工艺不同,
单晶硅
的晶面取向相同、无晶界,品质优异,而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布,晶格缺陷增多,导致
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