之间的间隙渗透,与TiO2基底发生配位作用,导致它们聚集在埋底界面处,并填补I-离子挥发留下的空位。相关研究成果以“Enhancing the Performance of Perovskite 稳定性。在n-i-p
结构的器件中,埋底界面即为电子传输层与钙钛矿层之间的界面,电子传输层不仅负责传输电子,同时也是钙钛矿晶体生长的基底,直接影响钙钛矿的结晶。因此,电子传输层的质量及其与钙钛矿
铁电半导体材料在光伏、光电探测、光催化等领域备受关注,研究院蔡宏灵课题组将卤素元素引入钙钛矿体系形成一维钙钛矿型铁电体(DFP)2SbX5(DFP =
3,3-二氟吡咯烷阳离子,X =
I ,Br,缩写为I-1和Br-2)双相变铁电半导体,其低温相变是mmmFmm2铁电相变,高温相变是逆温对称性破缺的mmmF2/m铁弹相变。研究表明:溴引入后,材料铁电转变温度Tc从I-1的348
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