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PERC技术，即(Passivated emitter and rear cell)技术，是一种在晶硅太阳能电池制造中采用的先进工艺，旨在提高电池的效率和性能，perc技术大体可以分为三个部分
。Passivated Emitter(背表面电极)：PERC技术的第一部分涉及在电池的背面创建一个有效的氧化层(passivationlayer)。这个氧化层有助于降低电子和空穴在背面的复合速率，从而

(Passivated emitter and rear cell)：PERC技术是在晶硅太阳能电池中引入的一项改进，通过在电池的背面形成有效的氧化层，减少电子和空穴的复合，提高了电池的效率。PERC电池工艺流程
涉及掺杂、氧化、前表面的Emitter形成、背表面氧化、后电极的涂覆等步骤，以优化电子传输和光电子的产生。TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)：TOPCon

效应降低表面少子浓度，从而降低表面复合速率，同时降低串联电阻，提升电子传输能力。电池背表面为叉指状排列的 p+ emitter(p+发射极)和 n+BSF(n+背场区)。其中，前者与 N 型硅基
Emitter 和 BSF，并在 POLY-Si 与掺杂层之间沉积一层隧穿氧化层 SiO2。这样的背表面钝化可以有效降低复合，实现更好的接触，进而提高电池转化效率。 HBC 电池：2014 年，松下

于电池背表面，由于同时有P，N两种扩散，理想的钝化膜则是能同时钝化P,N两种扩散界面，二氧化硅是一个较理想的选择。如果背面Emitter/P+硅占的比例较大，带负电的薄膜如AlOx也是一个不错的选择
BC电池结构如图所示，与传统IBC电池不同的是，背面的emitter和BSF区域为p+非晶硅和n+非晶硅层，在异质结接触区域插入一层本征非晶硅钝化层。IBC与非晶硅钝化技术的结合无疑是未来IBC电池效率提升的方向。 26.6%效率的HBC电池结构示意图