光伏咨询搜索-索比光伏网

（a-Si）材料组合，藉此吸收更广泛的光波，透过光电转换效应来提高电池的转换效率。另一方面，背电极技术则是指在太阳能电池的底部形成电极，藉此有效取得电力。一般的太阳能电池表面有电极，会使受光面积减少
；若将电极改为铺在底部，电池表面受光面积增加，转换效率也能提升。▲结构图（由上而下）：受光面保护层、受光面钝化层、晶矽基板、i型非矽材质（a-Si）、p／n型a-Si层、电极层。KANEKA利用自行开发的

第一次成功制备了HIT（Heterojunctionwith Intrinsic ThinLayer）电池。HIT电池结构简单，其中间衬底为N型晶体硅，通过PECVD方法在P型a-Si和c-Si之间插入
一层10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn结的同时本征a-Si：H具有很好的钝化晶体硅表面缺陷的作用，极大地降低了晶体硅的表面复合，复合速率可降至3cm/s，确保了电池很高的开路电压。电池背面

已开始运用PERC技术大规模生产电池，我国大部分企业已落后，仅晶澳、乐叶等一线企业在积极引入此技术。2）HIT电池技术HIT电池的特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜（膜厚5～l0nm）和背面侧的
i-n型a-Si：H膜（膜厚5～10nm）夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的光伏电池。其优势为：（1）低温工艺。所有的制作过程都是在低于200℃的条件下进行，这对

已经实现商业化的薄膜发电技术主要包括碲化镉（CdTe）、铜铟镓硒（CIGS）以及非晶硅（a-Si）等。2015年6月，中国提出要实施光伏组件领跑者计划，引导光伏技术进步和产业升级。多晶硅电池组件和
预测三类薄膜技术之中，a-Si是2004年之前最主要的技术，但在2009年之前总产量均未超过0.5吉瓦，2009后产量开始快速增长，但2011年达到近1.4吉瓦的峰值后已经连续3年产量下降，到2014

。　　　　目前已经实现商业化的薄膜发电技术主要包括碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)以及非晶硅(a-Si)等。2015年6月，中国提出要实施光伏组件领跑者计划，引导光伏技术进步和产业升级
市场份额越来越小，2014年下降至9%。　　　　技术路线预测　　　　三类薄膜技术之中，a-Si是2004年之前最主要的技术，但在2009年之前总产量均未超过0.5吉瓦，2009后产量开始

应用的现状。目前已经实现商业化的薄膜发电技术主要包括碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)以及非晶硅(a-Si)等。2015年6月，中国提出要实施光伏组件领跑者计划，引导光伏技术进步和产业升级
%。技术路线预测三类薄膜技术之中，a-Si是2004年之前最主要的技术，但在2009年之前总产量均未超过0.5吉瓦，2009后产量开始快速增长，但2011年达到近1.4吉瓦的峰值后已经连续3年产量下降

技术和应用的现状。目前已经实现商业化的薄膜发电技术主要包括碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)以及非晶硅(a-Si)等。2015年6月，中国提出要实施光伏组件领跑者计划，引导光伏技术进步和产业升级
降至9%。技术路线预测三类薄膜技术之中，a-Si是2004年之前最主要的技术，但在2009年之前总产量均未超过0.5吉瓦，2009后产量开始快速增长，但2011年达到近1.4吉瓦的峰值后已经连续3年产量