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在P型a-Si和c-Si之间插入一层10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn结的同时本征a-Si:H具有很好的钝化晶体硅表面缺陷的作用，极大地降低了晶体硅的表面复合，复合速率可降至3cm/s
，确保了电池很高的开路电压。电池背面为20nm厚的本征a-Si:H和N型a-Si:H层，在钝化表面的同时可以形成背表面场。由于非晶硅的导电性较差，因此在电池两侧利用磁控溅射技术溅射TCO膜进行横向

迅猛发展起到了重要的推动作用；3、硅薄膜电池在原材料易得性与清洁安全等方面均不存在瓶颈。薄膜光伏电池是在低成本的玻璃、塑料、不锈钢等基板上沉积形成很薄的感光材料实现光电转换，主要包括硅薄膜电池（a-Si
、a-Si/c-Si等）、碲化镉（CdTe）、铜铟硒（CIS、CIGeS）。2015年全球薄膜太阳能电池的产能约为9.3GW，产量约为4.4GW（图。按技术划分，2015年硅基薄膜电池的产能占比为38

柔性衬底薄膜太阳电池;(2)研制多结薄膜太阳电池。目前，国际发展趋势主要涉及非晶硅(a-Si:H)太阳电池、铜铟(镓)硒(CuInGaSe2)太阳电池和碲化镉(CdTe)太阳电池。经过数年的努力，其效率
。薄膜太阳电池是获得高效率、长寿命、高可靠、低成本的重要途径之一。主要包括：a-Si及其合金、CuInSe2 及其合金、以及CdTe三种材料的薄膜太阳电池。聚光太阳电池一般认为，现代聚光PV开始于

produced from amorphous silicon (a-Si), cadmium telluride(CdTe), or copper indium gallium selenide
(CIGS).由非晶硅（a-Si）、碲化镉（CdTe）和铜铟镓硒（CIGS）制造的薄膜组件，并不在此贸易案的控诉对象之内。我想，收入超过80%来自美国，最大的CdTe薄膜组件厂商FSLR（详见《除了零售业

措施：(1)研制超轻柔性衬底薄膜太阳电池;(2)研制多结薄膜太阳电池。目前，国际发展趋势主要涉及非晶硅(a-Si:H)太阳电池、铜铟(镓)硒(CuInGaSe2)太阳电池和碲化镉(CdTe)太阳电池
研制，并取得一定的进展。薄膜太阳电池是获得高效率、长寿命、高可靠、低成本的重要途径之一。主要包括：a-Si及其合金、CuInSe2 及其合金、以及CdTe三种材料的薄膜太阳电池。聚光太阳电池一般认为