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的进步。薄膜太阳电池主要涉及非晶硅(a-Si：H)、铜铟镓硒(Cu(In、Ga)Se2，CIGS)和碲化镉(CdTe)光伏电池和集成组件，在本文中主要讨论的是目前商业化最成熟的非晶硅太阳电池。薄膜
能源的巨大潜力。Sharp公司、TDK公司在聚酯膜上制备的非晶硅太阳电池目前已能生产面积为286cm2的组件，效率已达8.1%，小面积电池的效率已达11.1%。Fuji公司a-Si/a-SiGe

索比光伏网讯:本文主要讲述HIT太阳能光伏电池的制造工艺、工艺改进以及HIT太阳能光伏电池的市场展望：一、HIT太阳能光伏电池的制作工艺HIT太阳能光伏电池的关键技术是a-Si:H薄膜的沉积，要求
沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积

HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性（0.4V附近）的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量
a-Si膜（i型a-Si膜），通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT构造。通过导入约5nm左右的薄膜i型a-Si层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2个数量级。亦即通过导入i型a-Si层，能够

索比光伏网讯:HIT太阳能光伏电池的伏安曲线分析HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性(0.4V附近)的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而
造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量a-Si膜(i型a-Si膜)，通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT构造。通过导入约5nm左右的薄膜i型a-Si层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2

索比光伏网讯:HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的缩写,意为本征薄膜异（膜厚5～10nm）质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜和背面
侧的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夹住单结晶Si片的来构成的.图一.HIT太阳能光伏" title="光伏新闻专题"光伏电池结构HIT太阳能光伏电池基板以硅基板为主；在硅基板上沉积高能隙

索比光伏网讯:光致衰减也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过，在其内部将产生缺陷而使薄膜的性能下降，称为Staebler-Wronski效应（D.L.Staebler和
缺陷态(深能级)，这种缺陷态会影响a-Si∶H薄膜材料的费米能级Ef的位置，从而使电子的分布情况发生变化，进而一方面引起光学性能的变化，另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外

　　薄膜光伏电池是选择非结晶硅(a-Si)、二硒化铜、铟、镓(CIGS)或碲化镉(CdTe)等半导体材料作为光能的吸收剂和转换器，将半导体材料放在玻璃、塑胶等廉价衬底材料上制成太阳能电池。因此
。　　非晶硅电池占主导CIGS前景诱人　　非晶硅薄膜电池(a-Si)、铜铟镓硒电池(CIGS)、碲化镉(CdTe)是三种主流的薄膜光伏电池。其中，非晶硅薄膜光伏电池以较低的成本、简单的

薄膜太阳能电池第二波高速发展薄膜太阳能电池是选择非结晶硅（a-Si）、二硒化铜、铟、镓（CIGS）或碲化镉（CdTe）等半导体材料作为光能的吸收剂和转换器，将半导体材料放在玻璃、塑胶
。非晶硅电池占主导 CIGS前景诱人非晶硅薄膜电池（a-Si）、铜铟镓硒电池（CIGS）、碲化镉（CdTe）是三种主流的薄膜太阳能电池。其中，非晶硅薄膜电池以较低的成本、简单的生产工艺以及灵活的应用