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在非晶/结晶硅(a-Si:H/c-Si)界面形成的异质结具有独特的电子特性，可用于硅异质结(SHJ)太阳能电池。超薄a-Si:H钝化层的结合实现了750 mV的高开路电压(Voc)。此外，n型或
p型掺杂的a-Si:H接触层可以结晶成混合相，减轻寄生吸收，并提高载流子选择性和收集效率。隆基绿能科技股份有限公司Xu Xixiang、Li Zhenguo等人在p型硅片上实现效率为26.6%的

，尽管硅太阳能电池是一种成熟的太阳能技术，并且可以很好地用于陆地应用，但由于硅的带隙很窄，它们远不适合为水下系统供电。具有较宽带隙的材料，如CdTe、非晶硅(a-Si)和GaInP，已经被探索用于水下应用
。举例来说，Arima等人开发了一种由a-Si太阳能电池供电的水下滑翔器，因为它们能够大量吸收能够深入海洋的蓝光，被引用为水下能源收集的潜力。Kong等人使用四块a-Si太阳能电池作为太阳能面板，以为

近日，上海微系统所微系统技术重点实验室新能源技术中心刘正新团队在非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)太阳电池的掺杂非晶硅(a-Si:H)薄膜中发现到反常Staebler-Wronski效应，并证明该反常
师、名誉教授克里斯托弗R朗斯基(Christopher R. Wronski)在实验室首次发现光照会降低a-Si:H薄膜的暗电导率，这种现象后来被命名为Staebler-Wronski效应，该现象对非晶硅光电

主要原因： (1)高Voc。HBC电池采用氢化非晶硅(a-Si:H)作为双面钝化层,在背面形成局部a-Si/c-Si异质结结构，基于高质量的非晶硅钝化，获得高Voc。充分吸收了HJT电池非晶硅钝化技术
： (1)P区和N区没有隔离，为防止短路，空穴收集材料必须具有低横向电导性能; (2)使用nc-Si:H(n)/nc-Si:H(p)代替a-Si:H(n)/a-Si:H(p)可以获得更好的Voc和

。 HWCVD技术自1979年由Wiesmann发明后并未引起人们的关注，直至20世纪80年代后期Doyle和Matsumura等人才开始对HWCVD制备氢化非晶硅(a-Si:H)进行研究，在1991年
，Mahan等人首次证明了HWCVD技术可生产器件级质量的a-Si:H材料。在1993年Kaiserslautern大学和NREL首次用HWCVD技术成功制备了薄膜硅太阳能电池，而到1995年，乌得勒支

) ，除了具备IBC的PN结和金属接触都处于太阳电池的背部的特性，同时还采用a-Si∶H 作为双面钝化层，具有优异的钝化效果，能够取得更高的开路电压。目前实验室效率能够达到26%以上。然而，HBC电池在继承
是在异质结界面附近建立起一个方向由 n 区指向 p区的内建电场，即p-n结；同时 n 型的c-Si与 n+ 的a-Si：H形成 n-n+结构，形成n+区指向 n 区的内建电场，即背电场。背电场产生的

在行业爆发期。自 1974 年 Walter Fuhs 首次提出 a-Si 和晶体硅融合的 HJT 结构起，到 1989 年三洋获得专利，HJT 电池技术经历了较长时间的技术垄断，期间全球各个实验室
型硅片(c-Si)及基极，在正面、背面都采用非晶硅薄膜(a-Si)形成异质结结构，正面使用本征非晶硅薄膜和 P 型非晶薄膜沉积形成 PN 异质结，背面同样使用本征非晶硅薄膜和 N 型非晶薄膜