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，开始在硅片两侧沉积本征非晶硅薄膜，然后再沉积极性相反的掺杂非晶硅薄膜。再下一步，开始制备TCO薄膜，TCO的制备主要通过物理气相沉积(PVD)技术的溅射来完成。最后，在TCO顶部进行表面金属化
处理，便可得到异质结电池。而且其中清洗制绒和丝网印刷都是传统硅晶电池的工艺，HJT独特的工艺在于非晶硅薄膜沉积以及TCO膜沉积。图表来源：CPIA目前国内已有多家企业积极推动异质结电池

电池的表面是不导电的氮化硅层，高温银浆主栅在烧结过程中须烧穿该层而进入到扩散层，深入到电池片内部这一部分银浆是无法通过无主栅技术所节省的;而对于HJT电池而言，电池片表面是导电的TCO层，低温银浆主栅
在固化的过程中只是紧固于电池片表面而不烧穿TCO层，故而无主栅技术可以显著节省这部分主栅浆料成本。(2)由于高温银浆的导电性能显著好于低温银浆，PERC电池的银浆耗量本来就大幅低于HJT电池，故而

，帮助读者正确把握和判断异质结电池成本降低前景。本文将分析用于沉积非晶硅薄膜和TCO透明导电层的沉积设备企业2020年最新进展。设备成本决定异质结产线投资额，而沉积设备占据设备成本的主要份额
RPD设备已经在爱康中试研发线进行了引进，在后续扩产前将在某些关键工艺设备上实行共同研发，主要聚焦等离子化学气象沉积镀膜设备(PECVD)和新式TCO镀膜设备，双方将共同开发具有自主知识产权和技术

电池上表面为 TCO，电荷不会在电池表面的 TCO 上产生极化现象，因此 HIT 电池无 PID、LePID 现象。松下 HIT 组件 25 年后发电量仅下降 8%。 (4)温度系数低，高温环境
电池结构相比，HBC 电池前表面无电极遮挡，并且采用 SiNx减反层取代 TCO 薄膜。 HBC 电池工艺流程为：清洗制绒-正面沉积本征非晶硅薄膜-正面沉积减反射膜-背面沉积本征非晶硅薄膜-背面沉积

和掺杂非晶硅薄膜环节，理想万里晖提供的 PECVD 设备在备受好评，迈为股份也不断精进其 PERCVD 设备;在沉积 TCO 薄膜环节，钧石能源的 PVD 设备已经入大规模生产应用，捷佳伟创在获得
切割前后的效率差控制在 0.3%左右，为异质结叠瓦组件应用提供基础。在沉积 TCO 薄膜环节， RPD 工艺应用潜力巨大。PVD 工艺是当前沉积 TCO 薄膜的主流技术路线，在薄膜电池

，主要聚焦等离子化学气象沉积镀膜设备(PECVD)和新式TCO镀膜设备，双方将共同开发具有自主知识产权和技术专利的新技术和新工艺，最终实现专利技术成果共享。爱康科技多年前就开始涉足异质结研发与制造
，至今已拥有相关核心技术专利二十余项，涵盖真空镀膜技术(非晶硅镀膜与TCO制备)、外观以及相关设备设计，形成了完整的核心工艺专利保护。对捷佳伟创提供的全线整套电池设备及自动化设备，爱康参与设备开发技术交流

，使得HJT电池加速产业化。 ①结构对称、工艺简单、设备较少。HJT电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。其结构对称、工艺相对简单。 ②低温制造工艺。HJT电池采用
。HJT电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和掺杂非晶硅的界面缺陷，形成较高的开路电压。 ④由于电池上表面为TCO导电玻璃，电荷不会在电池表面的TCO上产生极化现象，PID现象(电势诱导衰减

HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤
本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03 物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04 丝网印刷机正面金属电极制备