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异质结。硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i-a-Si: H 和掺杂的 N 型非晶硅(n-a-Si: H )形成背表面场,双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TC0)不仅可以减少收集电流时的串联电阻
N 型单晶硅为磷掺杂,不存在 P 型晶硅中的氧复合、础铁复合等,所以 HJT 电池对于 LID 效应是免疫的。HJT 电池的表面沉积有 TCO 薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免

了从硅砂、玻璃原片、在线Low-E镀膜节能玻璃、在线TCO镀膜光伏太阳能玻璃、超白光伏基片生产到深加工及销售的一条龙玻璃产业群体。此次进军光伏玻璃领域，进一步延伸了其玻璃产业链。不仅如此，旗滨集团正

非晶硅薄膜，N型非晶硅薄膜，背面依次沉积本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜，掺杂非晶硅薄膜两侧分别沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，在TCO两侧顶层形成金属电机。预计2023年HJT电池片成本接近
头部企业的市占率目标将超过90%。根据PV Infolink数据，2021年组件厂商产能预计约为300GW，同比+33.76%，各家产能扩张迅速。 (5)光伏玻璃：2020年Q4光伏玻璃有效产能

生载流子并将其输送到金属电极上，导电性好、透过率高是 TCO 薄膜需要具备的关键特性。在工艺方面，目前主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应等离子体沉积法)两种方式，PVD 利用经过加速
，国产化降本空间相对有限。产能提升并非 PVD 设备向上优化的瓶颈，努力方向在于改善 TCO 薄膜透光性、均匀性、传导性等指标进而提升电池转换效率，未来靶材的创新优化或助力进一步突破效率瓶颈

和掺杂 P 型非晶硅薄膜，与硅衬底形成异质结，背面通过沉积 5-10nm 的本征非晶硅薄膜和掺杂 N 型非晶硅薄膜形成背表面场。在掺杂非晶硅薄膜表面沉积 TCO 透明导电氧化物薄膜，最后在正背表面
等离子体能量分布相对集中且离化率更高，高能离子较少，表现出低离子损伤的优良特性。同等条件下，RPD 技术制备的 TCO 薄膜结构更加致密、结晶度更高、表面更加光滑、导电性更高、光学透过率更好1。此外

a-Si:H薄膜和P型掺杂a-Si:H薄膜以形成p-n异质结，在硅片背面依次沉积厚度为5-10nm的本征a-Si:H薄膜和N型掺杂a-Si:H薄膜形成背表面场，在掺杂a-Si:H薄膜的两侧再沉积透明导电
氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷或电镀技术在电池两侧的顶层形成金属集电极，其结构具有对称性。 HJT电池转换效率已在晶硅光伏电池中位居前列：HJT电池量产之后，日本Sanyo/松下仍在持续研究

的排放。太阳能光伏玻璃按类型分：抗反射(AR)镀膜类、透明导电物(TCO)镀膜类、钢化类、其他太阳能光伏玻璃按应用领域分：公用、住宅、非住宅太阳能光伏玻璃按终端用户分：晶体硅光伏模块、薄膜光伏模块太阳能光伏玻璃按地域分：北美、欧洲、亚太地区、中东和非洲、拉丁美洲

时，将会面临两个问题：第一，异质结不能高温焊接，异质结TCO导电薄膜高温焊接会导致失效，到那时焊带焊接将不再适合这一电池技术;第二，异质结电池有一个特点就是电池片越薄，功率越高，而且电池片减薄之后价格
、双面双玻、半片、高反光焊带以及铝框等行业主流技术，另外在结构方面具有2.0mm镀膜钢化玻璃、POE封装以及三分体接线盒等特点。以前的双玻组件没有边框，容易出现破损率较高、搬运安装不便等问题，市场对于

栅线电池是完全可以实现的，尤其是与HIT电池结合，利用其TCO膜的导电性，全细栅涉及，降低电池片银浆用量，实现降本。观点2:无主栅电池或多主栅电池叠瓦焊接设备上可以实现，胶的粘接可靠性还要
。问题2：印胶的网版主栅线宽度设计是多少，印后的宽度是多少，叠后限定宽度是多少? 观点1:主栅设计宽一般是1mm左右。印后由于浆料塌陷等原因会稍宽一点。观点2:印刷式导电胶网板宽度设计一般