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在：（1）从简单的ITO／p/i/n（a一Si）／Al发展成为SnO2（F）／p-a一SiC／i-a-Si／n-a一Si／A1这样比较复杂实用的结构。Sno2透明导电膜比ITO更稳定，成本更低，易于
插入污掺杂层以克服界面壁垒。（3）p层材料采用宽带隙高电导的微晶薄膜，如μc-sic，可以减少P层的光吸收损失；减少电他的串联电阻。（4）为减少p／i界面缺陷，减少二极管质量因子，在p/i界面插入C含量