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为收集光生载流子并将其输送到金属电极上，导电性好、透过率高是 TCO 薄膜需要具备的关键特性。在工艺方面，目前主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应等离子体沉积法)两种方式，PVD 利用
经过加速的高能粒子轰击靶材，使靶材表面的原子脱离晶格逸出沉积在衬底表面发生反应而形成薄膜;RPD 法利用等离子体枪产生氩等离子体，氩等离子体进入生长腔后，在磁场作用下轰击靶材，靶材升华形成蒸气

、离子镀、RPD反应离子沉积等)、CVD(PECVD、LPCVD等)和ALD原子层沉积等真空镀膜设备上拥有先进技术和高端装备制造经验，形成工艺研究设备、规模化产线设备系列化产品，广泛应用于光伏、半导体、显示、纳米科技、化工、制药等领域，并拥有GW级光伏电池产线核心技术和设备制造经验。

、PVD/RPD、丝网印刷+烧结炉。异质结电池优势 ◼ 最简洁4步工艺流程 ◼ 最高转换效率 ◼ 最低温度系数 ◼ 最佳双面效益 ◼ 无光致衰减(LID) ◼ 无电位衰减(PID
)丝网印刷设备捷佳伟创异质结电池全工序装备总结制绒设备，在洁净度、能耗、智能制造等方面全面提升 PECVD反应腔无托盘设计，没有交叉污染问题进而提高Voc RPD比SPT效率高

则选择的是反应等离子RPD 技术路线。RPD 和双面进行薄膜沉积的 PVD 技术路线相比，采用自下而上的单侧沉积技术，关键设备是等离子枪。多厂商前期布局，量产转换效率突破
降本空间大。2019 年以来，国产设备厂商相继进入异质结环节，从目前公开信息来看，捷佳伟创、迈为、钧石均有布局。捷佳伟创一直致力于异质结电池设备的开发，目前已具备湿法制程、RPD 制程、金属化制程

较短、国内外研发同比，所以各设备厂商基本为异质结整线制造模式。其中，捷佳伟创应用于 HJT(异质结)电池产线的 RPD 设备，是捷佳伟创获得住友重工(中国大陆地区)独家授权后进行研发制造的核心工艺设备
，这种透光导电膜设备设计独特，相对传统的 PVD 设备具有表面损伤少、载子迁移速度高等技术优势，对于 HJT(异质结)电池转换效率的提升具有较大的贡献。RPD设备应用广泛，除应用于 HJT

企业已经在引进进口线，行业先驱已经在行动了。具体来讲，HIT主要生产工序有4步，对应4种专业设备，依次是清洗制绒机、PECVD、PVD/RPD、丝网印刷机。其中壁垒最高的是PECVD，海外梅耶博格和
是TMB、B2H6、PH3等气体，非常成熟，成本占比可以忽略。 PVD/RPD：氩气、靶材。先导、映日、壹纳等国内厂商已经突破，价格大幅低于海外厂商，未来需求放量，价格还有下降空间。靶材核心成分是氧化铟

也陆续推出CVD新产品，现阶段仍在试验中。 TCO镀膜设备：RPD设备商包括日本住友、台湾精耀，PVD设备商包括梅耶博格、应用材料、冯阿登纳、国内钧石等。现阶段采用PVD方式成膜的企业较多，主要
。效率上RPD现阶段较PVD(ITO)优势在0.4%左右，可以通过托盘优化将差异拉开至0.6%以上，并且可以通过使用其他更高效的靶材进一步拉开与PVD的效率差异至0.7%。但是RPD缺点较为明显，第一

)。三家分别采用了不同整线商方案，所采用的CVD、PVD/RPD以及配套的靶材、浆料都有所差异，2019年9月份到2020年3月份之间，3家都会陆续给出量产结果，届时将会分晓哪种技术路线更加稳定、适合
到具备经济性的阶段;②HJT电池片非硅成本：测算得到目前HJT电池片非硅成本若采用RPD工艺约0.659元/W，采用PVD工艺约0.627元/W，非硅成本仍比主流PERC高0.3-0.4元/W，降成

、PECVD、PVD/RPD、丝网印刷机。其中壁垒最高的是PECVD，海外梅耶博格和应用材料的设备比较成熟，但价格比较昂贵;国内钧石和理想有供货能力。清洗制绒机目前日本YAC比较成熟，YAC目前也在推进
、PH3等气体，非常成熟，成本占比可以忽略。 PVD/RPD：氩气、靶材。先导、映日、壹纳等国内厂商已经突破，价格大幅低于海外厂商，未来需求放量，价格还有下降空间。靶材核心成分是氧化铟，质量占比在

，并且2020年Q2-3将有一批标杆项目投运。装备方面，过去两年主要装备企业在转化效率等方面获得较大进展，国内相关装备上市公司也多将HIT作为重点投入方向。设备端清洗制绒、PVD/RPD、丝网印刷都已
之后就进入PVD或RPD设备，沉积透明金属氧化物导电膜TCO。TCO纵向收集载流子并向电极传输。非晶硅层晶体呈长程无序结构，电子与空穴迁移率较低，横向导电性较差，不利于光生载流子的收集，因此需要在正面