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，成为中国光伏装备第一股。捷佳伟创系业内较早开始开发HJT整线设备的厂商。HJT电池制备的第三道核心工序是制作透明导电膜，行业内主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应等离子体沉积法)两种方式
。早在2018年，捷佳伟创就取得日本住友重工RPD设备在中国大陆地区的独家授权，在此基础上通过全球引智、国际合作，深入进行了RPD设备的二次开发，成功推出了RPD5000A系列更适配于HJT的高性价比

继引领高效和超高效HJT的TCO设备新型自主RPD系列之后，捷佳伟创历时一年精心打磨的具有完全自主知识产权的HJT关键工艺设备板式PECVD5500迎来了整备交付客户的日子，给生机蓬勃的光伏行业又
AGV智慧工厂的全制程设备的自主开发工作，成为全球第一家完成全线四道工序完全自主开发的整体异质结电池解决方案设备提供商。这款优秀的PECVD设备将和TCO工序先进的RPD系列设备组成双子星设备

%，从效率角度出发，HJT 效率高出 PERC 1.5%以上则可体现出性价比优势 HJT 工艺步骤简单但十分敏感，要求更加严苛：HJT 生产步骤仅包括制绒清洗、PECVD、PVD/RPD
、丝网印刷和光注入退火五个环节，对应设备分别为制绒清洗设备、PECVD 设备、PVD/RPD 设备、丝网印刷设备和光固化炉。HJT 特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化结构对工艺、设备、生产环境、操作

; 非晶硅沉积设备：主要以进口设备为主，包括日本松下、梅耶博格、应用材料等，国内理想能源已开始VHFCVD的研制。透明导电薄膜设备：日本住友垄断了RPD设备的专利以及对应的专属靶材IWO，捷佳伟创
通过与其合作具备了RPD产品供应能力;冯阿登纳、新格拉斯等外资企业基于PVD的工艺也推出对应的产品，但由于ITO靶材性价比相对较低，且PVD工艺在镀膜质量上较RPD仍存在一定差距，因此PVD尚未

运用。国产设备厂加紧布局异质结设备，分享此轮技术更迭红利。异质结电池分为制绒清洗、PECVD、PVD/RPD、丝网印刷四道工艺，目前国内设备厂商积极布局各环节设备。制绒清洗领域，国产代表是
捷佳伟创;PECVD领域，国内厂商包括理想万里晖、迈为股份、钧石、捷佳伟创(研发中)等;PVD/RPD领域，国产厂商包括捷佳伟创、钧石、宏大真空等;丝网印刷机领域，国内企业包括迈为股份

RPD设备已经在爱康中试研发线进行了引进，在后续扩产前将在某些关键工艺设备上实行共同研发，主要聚焦等离子化学气象沉积镀膜设备(PECVD)和新式TCO镀膜设备，双方将共同开发具有自主知识产权和技术

(HWCVD)，其中本征非晶硅薄膜是 HIT 电池表面的钝化层，沉积后需要掺杂膜层来形成发射极和背表面场。 TCO 薄膜沉积：常用的工艺是磁控溅射(PVD)和反应等离子体沉积(RPD)，沉积非晶硅薄膜后
。 HIT 电池产线所需设备包括制绒清洗设备PECVD/HWCVD 设备沉积非晶硅薄膜RPD/CVD 设备沉积 TCO 薄膜丝网印刷设备自动分选机。非晶硅薄膜沉积设备和 TCO 薄膜沉积设备

的可能，技术上异质结比 PERC 更具想象空间，如沉积方式从 PVD 专项 RPD 以及多主栅、光注入退火的叠加，甚至与钙钛矿电池结合形成叠层电池。若异质结电池最终实现 25%的转换效率，较升级
RPD 等离子枪专利授权后，打破台湾厂商 Archers 作为 RPD 工艺唯一供应商的垄断。 1) 理想万里晖：国内 PECVD 先行者。早在 PERC 电池发展的初期，公司便已投身于异质

薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。成膜过程在真空中进行，大约在 5～500Pa范围内。 ③TCO沉积包括RPD(反应等离子体沉积)和PVD(物理化学气象
沉积)两种方法。 RPD(反应等离子体沉积)技术主要由日本住友重工掌握，其设备匹配自己生产IWO(氧化铟掺钨)靶材制备IWO透明导电薄膜，其采用蒸发镀膜对衬底轰击较小，IWO薄膜电学性能明显优于

)。 HIT投资成本因设备配置变化而改变。其取决的因素包括采用完全进口设备还是部分国产设备;同种工艺选择何种设备，比如非晶硅沉积选择HWCVD还是PECVD，TCO镀膜选择RPD还是PVD。目前，全
进口设备方案，配套PECVD及RPD的单位投资成本约为10亿/GW。自531新政发布以来，光伏产业链各环节价格已降低了30%-40%，光伏平价上网加速推进中。同时受下游光伏企业对光伏电池降本增效的