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为您找到 “N型太阳<b>电池”相关结果365 个
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综合
福建
太阳
能级多晶硅材料提纯关键技术通过专家验收
来源:索比光伏
发布时间:2012-07-24 08:48:21
技术,突破了冶金法除硼的动力学极限,结合高真空除磷技术和真空熔炼定向凝固一体化技术,成功开发出一套具有普适性和自主知识产权的完整冶金法提纯多晶硅工艺,实现高纯度(6N)的冶金法
太阳
能硅材料,将B、P含量
太阳
能
多晶硅提纯
光伏科技
光伏企业动态每日速览(第十五期)
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-30 00:00:59
了中国英利带来的低成本、高效率熊猫
N
型
硅
太阳电池
及组件技术发展主题报告。英利集团首席技术官宋登元博士在报告中表示,英利熊猫
电池
技术是一种高效率低成本的技术路线,具有很强的市场竞争力和发展潜力。熊猫组件
光伏企业
光伏组件
光伏逆变器
太阳
能
光伏产业
光伏要闻
微米和亚微米级吸收层厚度的CdTe薄膜
太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-20 23:59:59
(a)所示。对于0.5m厚CdTe
太阳能电池
来说,见图1(b)和(d),CdTe晶粒尺寸几乎减少一个数量级,为0.2~0.7m。
太阳能电池
效率是4.7%。如以后要讨论的,效率的降低是因为晶粒比较小的CdTe
光伏要闻
用ECR-CVD改善硅基异质结
太阳电池
的界面钝化的影响
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-20 23:59:59
推测,即使在ECR-CVD中B掺杂比(B2H6/SiH4)高时也实现了c-Si表面覆盖氢。 制造Si
太阳电池
时,用ECRCVD在
n
型
c-Si衬底的前表面淀积20nm厚的外延p发射层。图3(a)是c-Si
光伏要闻
新一代智能光伏组件接线盒
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-18 17:39:41
上升,形成热斑.若热斑的温度超过一定极限,将会使
电池
片上的焊点融化并损坏栅线,从而导致整个光伏阵列甚至系统的损坏.为了避免热斑的产生,接线盒因应而生。在
太阳能电池
组件中,一般将N块
电池
片串联成
电池
组,以
光伏要闻
太阳
能硅片清洗及原理
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-18 15:04:31
索比光伏网讯:
太阳
能硅片的清洗很重要,它影响
电池
的转换效率,如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要,下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。清洗的作用1.在
太阳
能材料制备过程中
光伏要闻
光伏系统知识第一章 光伏系统组成
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-14 17:02:58
超大规模集成电路的开发应用会来一次历史性的飞跃,带给我们的好处是最高档的PC机可以制做得很轻、很薄、很小巧。
太阳能电池
的外表面向阳的一面是富空穴的P型半导体,紧贴下面的就是富电子的
N
型
半导体。在
太阳
光子的激发
光伏要闻
全球光伏发展简史(独家)
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-07 08:59:59
G.L.Pearson获得
太阳
能转换器件专利权。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏
电池
,这种
电池
抗辐射能力强,这对太空
电池
很重要;Hoffman电子的单晶硅
电池
效率达到9
太阳
能光伏
光伏发展
光伏产业
光伏要闻
背接触硅
太阳电池
研究进展
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-04 11:07:28
合掉了,从而会使
电池
效率大大下降。尽管
n
型
硅材料的少子迁移率较小,但其寿命较长,且对杂质沾污的敏感性较低,所以比较适合于制作背结
电池
。2.1.1IBC
太阳电池
IBC
后进入
n
型
衬底形成n+区,而未印刷掩膜层的区域,经磷扩散后形成p+区。通过丝网印刷技术来确定背面扩散区域成为目前研究的热点。图1早期IBC
太阳电池
2.1.2PCC
太阳电池
美国SunPower公司利用
光伏要闻
“第三代”光伏发电技术简介
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-30 13:31:30
:例如,a)如何将移动中的
太阳
光均匀地聚集在某一面,让光
电池
更有效地发生电力;光学就从成像光学走向无光像光学。b)如何既聚集来自
太阳
的直射光,又聚集相当部分的散射光,增加光
电池
接收的光量;无光像光学
光伏要闻
何谓“第三代”光伏发电技术?
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-30 10:31:59
,a)如何将移动中的
太阳
光均匀地聚集在某一面,让光
电池
更有效地发生电力;光学就从成像光学走向无光像光学。b)如何既聚集来自
太阳
的直射光,又聚集相当部分的散射光,增加光
电池
接收的光量;无光像光学就由简易的窄角
光伏发电
聚光光伏
光伏技术
“第三代”光伏发电技术
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-30 08:51:26
,在聚光条件下,聚光
电池
,会出现对数式非线性增长。4倍聚光导致开环电压增长了10%!这一
n
型
光
电池
就呈现出24.5%的转化率! d)在所有上述介绍的绿色技术中,最重要的是
太阳
能炼硅。 5
技术
光伏科技
太阳
能光伏刻蚀清洗设备
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-23 15:43:19
。在
太阳电池
的常见工艺中,常常是在含硼的磷型硅片上扩磷,所以要去除的主要是周边扩散了磷的部分。为了将扩散所得的硅片制成P-N结,我们得把四周的
N
型
层去掉。背面的
N
型
层可以用补偿法消除,用丝网印刷铝浆
光伏要闻
60家光伏逆变器企业一览表
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-23 09:47:59
华东(苏州)和华南(深圳)两个大区办事处,业务辐射全球的蓬勃成长型企业。产品系列:节能回馈负载系列、
太阳
能并网逆变器系列、蓄
电池
充放电测试仪、ES系列储能产品。其中
太阳
能并网逆变器系列包括
光伏企业
光伏逆变器
光伏市场
台湾上阳推出全球革命性
太阳
能追日系统
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-10 23:59:59
能源(TOPPER SUN)智能
型
太阳
能追日系统iPV,主要特点为追日精准、稳定度高、同时价格平易近人。在追日精准度上,运用独特的追踪角感应系统设计与双轴设计,让整个系统能够以精准的脚步同步并行于
,以创新技术开发该系统的电控与机构模块,其中独创的钢索传动方式,在抗风强度及安全性表现上,十分优异。搭配打破市场行情的合理价位,让使用上阳能源(TOPPER SUN) 智能
型
太阳
能追日系统iPV的建构者
光伏要闻
列数各类高效晶硅
太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-07 10:55:18
硅
电池
的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区
太阳电池
(PESC)的薄氧化层(<10nm)发展到PCC/PERC/PER1。
电池
的厚氧化层(110nm)。此外,表面V型槽和倒金字塔技术
晶硅
电池
高效
电池
光伏科技
列数各类高效晶硅
太阳能光伏电池
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-07 09:06:56
结果。近年来硅
电池
的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区
太阳电池
(PESC)的薄氧化层(<10nm)发展到PCC/PERC/PER1。
电池
的厚氧化层(110nm)。此外,表面V型槽和倒
光伏要闻
太阳能电池
的工作原理和电学性能
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-04 10:24:34
,
n
型
区带负电;于是,就使得在n区与p区之间的薄层产生了电动势,即光生伏打电动势。接通电路时便有电能输出。这就是p-n结接触型单晶硅
太阳能电池
发电的基本原理。若把几十个、数百个
太阳能电池
单体串联、并
光伏要闻
有机薄膜
太阳能电池
的结构与制作技术
来源:索比光伏
发布时间:2012-04-19 15:54:37
薄膜设置的极薄,并设置了铝质的里面电极,这样,
电池
就已完成。高分子系有机薄膜
太阳能电池
的最大特点是:相当于p型半导体的共轭高分子与相当于
n
型
半导体的电子受体分子混合,藉助这一混合物的相分离,构建了接合
光伏要闻
高效
太阳能电池
工艺改进——扩散
来源:索比光伏
发布时间:2012-04-17 16:48:23
:常规方阻正银浆料,高方阻、浅结正银浆料,常规方阻、高固含量正银浆料,高方阻、高固含量正银浆料,无铅正银浆料。新型
电池
浆料:两次印刷浆料,
N
型
电池
浆料,填孔印刷浆料(MWT
电池
)。4、烧结过程01
太阳电池
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