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日本理化学研究所于2015年9月24日宣布，开发出了耐热性大幅提高的有机薄膜太阳能电池（OPV）。相关论文已刊登在学术杂志《Nature》的在线版Scientific Reports上
。　　　　OPV比硅类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有

索比光伏网讯:日本理化学研究所于2015年9月24日宣布，开发出了耐热性大幅提高的有机薄膜太阳能电池（OPV）。相关论文已刊登在学术杂志《Nature》的在线版ScientificReports上
。OPV比硅类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有可能

日本理化学研究所于2015年9月24日宣布，开发出了耐热性大幅提高的有机薄膜太阳能电池(OPV)。相关论文已刊登在学术杂志《Nature》的在线版Scientific Reports上。 OPV
比硅类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有可能

日本理化学研究所于2015年9月24日宣布，开发出了耐热性大幅提高的有机薄膜太阳能电池（OPV）。相关论文已刊登在学术杂志《Nature》的在线版Scientific Reports上。 OPV比硅
类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有可能成为加快

硅棒制作中要避免使用低质量的多晶硅料;控制掺人过多低电阻n型硅料，避免生产高补偿的p性单晶棒，因为硼氧含量极高，将导致光伏组件出现大幅度光致衰减；提高拉棒工艺水平，降低硼氧含量，降低缺陷密度，改进电阻率
晶体硅的缺陷，从而彻底解决了掺硼的硅片，光伏组件的衰减问题。方法四：使用掺p的n型硅替代掺硼的p型硅片，n型硅片可以解决光致衰减问题，但是从现有技术和工艺来看，在转换效率和制造成本上没有优势

浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的早期光致衰减。我们强烈要求不使用低电阻率N型硅料。 3）一些公司拉棒工艺不过关，晶体硅中氧含量过高，内应力大，位错缺陷密度高，电阻率不均匀，都直接影响
用掺稼的硅片制作的电池，没有发现太阳电池的早期光致衰减现象，也是解决太阳电池早期光致衰减的办法之一。 E、使用掺磷的N型硅片代替掺硼的P型硅片使用诰硅片也是解决电池初试光致衰减问题的方法之一

太阳能电池。存在负电荷Al2O3的低电阻率P型硅通过良好的背钝化，转换效率已经达到 20.6%。其中最优工艺是30nm的Al2O3薄膜上覆盖着200nm通过等离子增强化学沉积（PECVD）的硅氧膜
钝化替代品需要拥有和SiO2相同的特性，这是在未来工业生产晶体硅高效太阳能电池所必须的。另一种主要研究的替代品是氮化硅（SiNx），一般用化学汽相淀积（PECVD）法在约400℃时生成，而且在P型硅上

ECN合作，其中阿特斯和天威新能源已经宣布实现了一定规模的量产，英利也在展会上展示了其N型高效MWT电池组件的样品。在2014年上海光伏会展中，新成立的南京日托光伏科技有限公司首次亮相并展示了其
路忠林，李质磊，盛雯婷，张凤鸣南京日托光伏科技有限公司摘要：为进一步大幅提高晶体硅太阳能电池和组件的性能，电池结构和封装方式的创新必不可少，而MWT背接触技术是其中最有代表性的一种适合

构造，所以d2决定铝的层叠。同样，指间距也由丝网印刷铝层（LPd2）中硅的传播极限决定。铝层叠的另一个应用可能应用在相互交叉的背接触的n型硅太阳能电池中，可得到高质量的丝网印刷的铝合金发射极。总之
了硅和铝的接触面积，电池背面全部覆盖着铝，LCO在结构的背面，而BSF在LCO中形成，这是铝硅的相互扩散。图1（b）的显微镜图片所示的是和图1（a）相同背面结构的太阳能电池背面的一部分，深灰色部分（在