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密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类，相比中国，日本近几年光伏产业发展更为迅速，日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利，中下游也划分
对原始数据进行一定的处理，主要包括数据的标准化。标准化是为了消除不同数据间的量纲不同和数量级的影响。对数据进行标准化的公式如下：xij＝（xij－xj）／Sj。其中：xj＝ni＝1xij/n，S2j

钝化替代品需要拥有和SiO2相同的特性，这是在未来工业生产晶体硅高效太阳能电池所必须的。另一种主要研究的替代品是氮化硅（SiNx），一般用化学汽相淀积（PECVD）法在约400℃时生成，而且在P型硅上
（Al2O3）薄层在p型或n型硅表面提供了钝化良好的表面态。在低电阻率P型硅上已经证明了利用低温等离子的ALD 其SRVs13cm/s。氧化铝层中的固定负电荷密度导致P型c-Si表面存在一个累积层

开标时间:2015-06-23 所属行业:能源标讯类别: 国内招标资金来源: 其它所属地区:河北 1.招标条件本招标项目河北洁源蔬菜种植有限公司雨养型节水高效蔬菜大棚30MW
项目概况：建设容量为30兆瓦光伏电站大棚钢结构。招标编码：HBZJ-2015N238 招标范围：大棚钢结构材料采购、施工总承包。 3.投标人资格要求 3.1、具有独立

率的自冷型逆变器亮相，在现场获得国内外客户的青睐。海得新能源WINGREEN太阳能光伏逆变器系列产品覆盖范围广，采用高效的PWM调制算法和MPPT跟踪控制算法，有效的提高了系统的发电量；设计上
独到见解，展示协鑫光伏专业化在全产业链多平台协同布局战略，发布最新产品及技术。展会期间，保利协鑫发布了新一代高效多晶硅片产品鑫多晶S4，通过先进的共掺杂技术提升性能，有效降低组件光衰，与上一代

的另一个应用可能应用在相互交叉的背接触的n型硅太阳能电池中，可得到高质量的丝网印刷的铝合金发射极。总之，本文的研究在丝网印刷中对铝粉浆和硅接触有了更深的理解。在丝网印刷中，当烧结的峰值温度在750
传播。如图所示，在图1（a）的截面模型中，LCO，d1限制了硅和铝的接触面积，电池背面全部覆盖着铝，LCO在结构的背面，而BSF在LCO中形成，这是铝硅的相互扩散。图1（b）的显微镜图片所示的是和图1

ECN合作，其中阿特斯和天威新能源已经宣布实现了一定规模的量产，英利也在展会上展示了其N型高效MWT电池组件的样品。在2014年上海光伏会展中，新成立的南京日托光伏科技有限公司首次亮相并展示了其
新技术，包括PERC、N型和黑硅技术等，叠加起来的效果甚至要好于单个技术增益的相加。目前很多国际国内光伏厂商都对MWT背接触技术给与了重点关注和浓厚兴趣，阿特斯、天威新能源和英利等大型光伏企业都先后和荷兰

构造，所以d2决定铝的层叠。同样，指间距也由丝网印刷铝层（LPd2）中硅的传播极限决定。铝层叠的另一个应用可能应用在相互交叉的背接触的n型硅太阳能电池中，可得到高质量的丝网印刷的铝合金发射极。总之
了硅和铝的接触面积，电池背面全部覆盖着铝，LCO在结构的背面，而BSF在LCO中形成，这是铝硅的相互扩散。图1（b）的显微镜图片所示的是和图1（a）相同背面结构的太阳能电池背面的一部分，深灰色部分（在

（PECVD）沉积多层非晶硅层以钝化硅片的表面，这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。使用精曜科技的PECVD设备在160um厚的绒面常规n型CZ硅片表面沉积5nm厚的非晶硅钝化层，我们得到了非常低的
了25.6%的记录，这在硅基太阳能电池技术中是最高的。与传统的P型单晶/多晶太阳能电池相比，n型单晶衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率，而且只需要很少的工艺步骤。同时，HJT具有独特

光伏系统所计算出的相对于P型多晶组件的LCOE比例 (a) 6英寸硅片上5个点位置的潜在开路电压（iVoc）值和iVoc均匀性；(b) 1,150mm1,450mm PECVD 托盘上5个点位置
，优异的均匀性并不仅仅局限于一个生产批次。在六组连续的生产批次中iVoc均匀性仍在0.84%以内。与传统的P型单晶/多晶太阳能电池相比，n型单晶衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率而且

将无法幸免。　　针对这种情况，小编盘点分析了近期光伏行业的硅片企业动态。值得高兴的是，中国在这方面并没有落后。企业要闻保利协鑫：提升高效硅片比例推出N型单晶硅片鑫单晶G2
差（2013年数据）。　　目前，量产型多晶硅电池效率水平为17%-17.5%；N型单晶电池的产业化效率水平是21%-24%；国内P型单晶电池产业化水平为18.7%-19.2%，海外则为19.2

编盘点分析了近期光伏行业的硅片企业动态。值得高兴的是，中国在这方面并没有落后。企业要闻保利协鑫：提升高效硅片比例推出N型单晶硅片鑫单晶G2。保利协鑫能源2014年计划淘汰上半年占比48.9%的普通
据）。目前，量产型多晶硅电池效率水平为17%-17.5%；N型单晶电池的产业化效率水平是21%-24%；国内P型单晶电池产业化水平为18.7%-19.2%，海外则为19.2%-20%。以成本计