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有两条主栅和多条细栅平行排列在镀有氮化硅减反膜的N型半导体上，为减小遮光效应和获得较小线阻，要求线宽要小，线高要大，附着力和电导性能优良。而在实际生产中，印刷后栅线是有限制的，烧结后50m宽、20m高
，还影响烧结后线的密度以及与N型硅半导体的接触效果，其中最主要的是浆料有无可优化的印刷性。现在大规模推广使用的太阳能电池浆料已经具备了良好的接触性与导电性能，而真正的瓶颈印刷适应性能的研究却无明显进展

据中心主要终端用电设备(如IT 设备、电制冷机等)采用单源型或双源型的要求。GB50174-2017中没有就此明确列出，但ANSI/TIA-942-B-2017对此进行了具体说明，参见表3
天然气分布式能源站应用于数据中心时不可忽视的设计要求。为天然气分布式能源站在数据中心的应用寻找更佳的解决方案助力。科技发展使数据中心正成为一种越来越具发展前景的产业。同时，作为高能耗型建筑，其供能

摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
了杂质引入的原因以及解决途径，从而显著减小了黑斑片产生的几率。 0 引言晶硅电池组件广泛应用于光伏发电行业并形成相当大的产业规模，提高电池转换效率、减少电池的不合格率、优化生产工艺技术是降低

备受瞩目，PERC电池较常规电池具有良好的效率优势，较N型、HIT等高效技术具有更好的成本优势。未来以PERC为代表的高效电池技术必将成为市场的主流。
等一系列优势。 PERC电池的光衰问题 P型晶硅电池普遍存在光致衰减的问题，而叠加PERC技术后衰减问题更甚，尤其是多晶PERC，目前导致光致衰减的机理尚不清楚。单晶PERC光衰要高于单晶BSF电池

，PERC) 电池是一种发射极与背面双面钝化的太阳电池。通过ALD技术，在电池片背表面沉积一层Al2O3，然后再使用等离子化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical
VaporDeposition，PECVD) 在背面镀一层Si3N4 薄膜，对Al2O3 起保护作用;同时，这层Si3N4薄膜还能提高少子寿命，增加对长波的反射，对光进行充分利用，增加硅片对长波的吸收，显著

p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷过程中
了杂质引入的原因以及解决途径，从而显著减小了黑斑片产生的几率。晶硅电池组件广泛应用于光伏发电行业并形成相当大的产业规模，提高电池转换效率、减少电池的不合格率、优化生产工艺技术是降低发电成本的主要途径

摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
了杂质引入的原因以及解决途径，从而显著减小了黑斑片产生的几率。 0 引言晶硅电池组件广泛应用于光伏发电行业并形成相当大的产业规模，提高电池转换效率、减少电池的不合格率、优化生产工艺技术是降低

导致电池片的填充因子、开路电压、短路电流降低，电池组件功率衰减。 2005年Sun power公司就发现晶硅N型电池在组件中施加正高压后存在PID现象。2008年，Ever green公司报道了P
型电池组件的PID效应。但是目前还没有明确的证据能够证明一个工作了五年的光伏电站，组件的输出功率骤降就是因为PID效应引起的。不过近年光伏行业对电池组件的PID效应还是引起了足够的重视。德国测试企业

浸镀锌涂层，热浸镀锌须满足《金属覆盖层钢铁制件热浸镀锌层技术要求及实验方法》 (GB/T13912-2002) 的相关要求，镀锌层厚度不小于80µm。 b. 镀锌厚度检测：镀锌层厚度按照《金属覆盖层
6061或6063等。 b. 力学性能要求：所选用铝型材的基材质量、化学成分、力学性能必须符合GB5237.1的相关规定。 c.表面处理须满足技术要求，符合GB5237.2-2004《铝合金建筑型材